|
|
Нарисуйте характеристику туннельного диода. ⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 3 Туннельный диод — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный, эффект приводит к появлению на вольт-амперных характеристиках при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости.
В качестве рабочей используют прямую ветвь ВАХ. Из ВАХ видно, что при повышении напряжения в I и III областях увеличивается ток. Во IIй области с увеличением напряжения уменьшается ток, это означает, что дифференциальное сопротивление имеет отрицательный характер. Работа на этом участке позволяет использовать туннельный диод как усилительный элемент.
Если на колебательный контур действовать напряжением, то в контуре возникает колебательный процесс. Сумма активного сопротивления проводов катушки (Lн), активного сопротивления диэлектрика между обкладками С1 и активного сопротивления соединяющих проводников ведет к активному сопротивлению. Отрицательное сопротивление туннельного диода компенсирует потери колебательного контура, диод работает как усилительный элемент. Материалом для туннельных диодов служит сильно легированный германий или арсенид галлия. Основными параметрами туннельного диода являются: ток пика Iп и отношение тока пика к току впадины Iп/Iв. Туннельные диоды являются быстродействующими полупроводниковыми приборами и применяются в генераторах высокочастотных колебаний и быстродействующих импульсных переключателей.
Как определяется коэффициент перекрытия по емкости варикапа. Варикапы — это полупроводниковые диоды, в которых используется барьерная емкость p-n-перехода. Эта емкость зависит от приложенного к диоду обратного напряжения и с увеличением его уменьшается. Добротность барьерной емкости варикапа может быть достаточно высокой, так как она шунтируется достаточно высоким сопротивлением диода при обратном смещении. Теоретическое значение емкости варикапа можно определить по формуле:
Коэффициент перекрытия по емкости определяется как отношение максимальной емкости Сmax варикапа к его минимальной емкости Cmin: КС= Сmax/ Cmin . Что такое биполярный транзистор. Транзистор - полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, имеющий три или более выводов. Широко распространенные транзисторы с двумя p-n-переходами носят название - биполярные. Термин «биполярный» связан с наличием в этих транзисторах двух различных типов носителей заряда — электронов и дырок. Для изготовления транзисторов применяют германий и кремний. Два p-n-перехода создают с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников с различными типами электропрово-дности. В соответствии с чередованием областей с различ-ными типами электропроводности биполярные транзисторы подразделяют на два класса: типа p-n-р а типа n-p-п. Классификация биполярных транзисторов. Транзистор - полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, имеющий три или более выводов. Транзисторы принято разделять на группы по частоте и мощности.
По технологии изготовления различают сплавные, диффузионные, диффузионно-сплавные, конверсионные, эпитаксиальные и планарные транзисторы.
  Что способствует осуществлению желаний? Стопроцентная, непоколебимая уверенность в своем...  Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам...  Живите по правилу: МАЛО ЛИ ЧТО НА СВЕТЕ СУЩЕСТВУЕТ? Я неслучайно подчеркиваю, что место в голове ограничено, а информации вокруг много, и что ваше право...  Что вызывает тренды на фондовых и товарных рынках Объяснение теории грузового поезда Первые 17 лет моих рыночных исследований сводились к попыткам вычислить, когда этот... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
, где С 0 — начальная емкость варикапа при U в =0, U в — напряжение на варикапе, yК — контакная разность потенциалов. Основными параметрами варикапа являются: его начальная емкость С0 , добротность QC , коэффициент перекрытия по емкости КC . Добротность варикапа определяется отношением реактивной мощности варикапа Q к мощности Р: QC=Q/P