Сдам Сам

ПОЛЕЗНОЕ


КАТЕГОРИИ







Балльно-рейтинговая система оценки знаний





Для успешного завершения изучения дисциплины необходимо, кроме изучения теоретического материала, выполнение лабораторных работ и, для очно-заочной и заочной форм обучения, контрольной работы, предусмотренных учебным планом.

Базисные рейтинг - баллы равны 100, в том числе:

- 50 баллов – лекционные занятия (теоретический материал) – по результатам тестирования;

- 30 баллов – лабораторные занятия;

- 20 баллов – контрольная работа (для очно-заочной и заочной форм обучения).

Оценка теоретических знаний производится по результатам контрольного мероприятия, которым является тестирование. Тестирование проводится по всем пяти разделам изучаемой дисциплины. Тест по каждому разделу содержит 5 вопросов, каждый правильный ответ оценивается в 2 балла. Таким образом, максимальное количество баллов за тестирование составляет 10 ∙ 5 = 50. Повторное тестирование в случае необходимости проводится по новому варианту тестов.

 

Лабораторные занятия - 30 баллов.

За успешное выполнение всего цикла лабораторных работ начисляется 30 баллов; при невыполнении какой-либо из работ снимаются штрафные баллы: 7,5 баллов при очно-заочной форме обучения и 15 баллов при заочной форме обучения.

Контрольная работа – 20 баллов.

Контрольная работа содержит 3 задачи. За правильное решение каждой задачи начисляется по 5 баллов; при выполнении всего объема контрольной работы дополнительно начисляется 5 поощрительных баллов.

 

Оценка результатов обучения (ранжирование результатов) проводится в соответствии со следующей схемой:

 

Количество набранных баллов 50 … 64 65 … 84 85 … 100
Оценка Удовлетворительно Хорошо Отлично

3. Информационные ресурсы дисциплины

Библиографический список

 

Основной:

1. Сорокин, В.С. Материалы и элементы электронной техники: учеб. для вузов: В 2 т. / В.С.Сорокин, Б.Л.Антипов, Н.П.Лазарева. – М.: «Академия», 2006.

2. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники: учеб. для вузов/ В.В.Пасынков, В.С.Сорокин.- СПб.: Лань, 2003.

3. Пассивные радиокомпоненты. Электрические конденсаторы: учеб. пособие / С.Д.Ханин [и др.]. – СПб.: Изд-во СЗТУ, 2000, 2004.

 

Дополнительный:

4. Физические основы полупроводникового материаловедения: учеб. пособие / Ю.К.Ежовский [и др.]. – СПб.: Изд-во СЗТУ, 2005.

5. Астайкин, А.И. Основы оптоэлектроники: Учеб. пособие / А.И.Астайкин, М.К. Смирнов.- М.: Высш.шк., 2007.

6. Материалы микроэлектронной техники: учеб. пособие для вузов / В.М.Андреев [и др.].- М.: Радио и связь, 1989.

  1. Справочник по электротехническим материалам: В 3 т. / под общ. ред. Ю.В.Корицкого. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
  2. Золотухин, И.В. Аморфные металлические материалы // Соровский образовательный журнал, 1997.- С.3-10.

 

Средства обеспечения освоения дисциплины (ресурсы Internet):

9. www.edu.ru/window/library.

 

Опорный конспект

Введение

Неотъемлемой частью подготовки инженерных кадров для современной радиоэлектроники является усвоение студентами достаточного объема теоретических знаний и практических навыков в области создания современной элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. Успешная деятельность специалистов в области конструирования и производства современных электронных средств требует наличия у них четких представлений о многообразии материалов, их свойствах и путях реализации этих свойств в конкретных изделиях.

Раздел 1. ОСНОВЫ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ МЭС

Более подробная информация по данному разделу содержится в [2], [4], [6].

В разделе рассматриваются три темы:

1. Основы материаловедения.

2. Принципы классификации МЭС.

3. Конструкционные материалы.

При работе с теоретическим материалом следует ответить на вопросы, приведенные в конце данного раздела.

После проработки теоретического материала раздела 1 следует решить задачу № 1 контрольной работы и выполнить тренировочный тест.

Изучение раздела заканчивается контрольным мероприятием: необходимо ответить на вопросы контрольного теста № 1. Максимальное количество баллов, которые Вы можете получить по данному разделу, составляет 15: 10 баллов за тестирование и 5 баллов за решение задачи.

 

Основы материаловедения

 

Материалы являются основой электронной и микроэлектронной техники, также как и любого другого класса аппаратуры, поэтому от них требуется стабильность – сохранение внутреннего строения и внешней формы при изменении условий в процессе длительной эксплуатации. Такая стабильность присуща только конденсированному состоянию вещества.

Стабильность свойств и неизменность внутреннего строения – это одно из требований при переработке материалов в изделия. При этом различные виды внешних воздействий направлены лишь на поверхностные слои.

Однако стабильность используемых материалов является достаточно относительной. На самом деле свойства материалов зависят не только от условий их получения, но и от внешних воздействий. С этим связаны проблемы изменения параметров и возникновение отказов изделий электронной техники, происходящие при изменении температуры или в связи с длительным сроком и условиями эксплуатации изделий. Основной причиной является нестабильность свойств материалов, которые являются следствием таких процессов как термическая генерация носителей заряда, диффузия и электродиффузия, электромиграция, возникновение, перемещение и развитие структурных дефектов и неоднородностей.

Содержанием материаловедения и основной задачей материаловедения является создание материалов заданного состава, заданной структуры, чтобы обеспечить совокупность требуемых свойств.

Понятия состав – структура – свойства лежат в основе классификации материалов электронной техники.

Незначительная часть материалов электронной техники и микроэлектроники применяется в элементарном состоянии, то есть в виде простых веществ, это такие металлы как медь, алюминий, серебро, золото, хром, никель, это элементарные полупроводники – кремний и германий. Однако большая часть материалов представляет собой химические соединения и сплавы – это сложные вещества с совершенно новыми, не присущими исходным элементам свойствами. Для определения природы и основных свойств любого материала необходимо рассмотреть основные типы химической связи.

 

Принципы классификации МЭС

1.2.1. Классификация материалов по типам химической связи

 

Рассмотрим 4 типа химической связи: ионную, ковалентную, металлическую и молекулярную (или связь Ван-дер-Ваальса). В зависимости от природы химической связи, посредством которой осуществляется взаимодействие между структурными единицами, принято различать следующие типы твердых веществ: ионные, ковалентные, металлические и твердые вещества с невалентными силами сцепления (ван-дер-ваальсово взимодействие и водородная связь). Естественно, что по этой классификации четкой границы между различными типами твердых веществ провести нельзя, так как нельзя четко разграничить различные типы связей.

Понятие «структура материала» очень широко используется в четырех основ­ных аспектах и характеризует:

1) степень упорядоченности распо­ложения микрочастиц;

2) особенности взаимного их расположе­ния;

3) виды и концентрацию кристаллических дефектов;

4) состав и строение фаз.

 

1.2.2. Классификация материалов по степени упорядоченности структуры

 

По степени упорядоченности микрочастиц материалы делятся на кристаллические и некристаллические (аморфные), особое положение занимают поликристаллические материалы

Кристалл — твердое тело, име­ющее трехмерное периодическое пространственное расположение микрочастиц и приобретающее вследствие этого при определен­ных условиях роста форму многогранника. Кристалл, как говорят, обладает дальним порядком.

Аморфные тела таким порядком не обладают, однако рассма­тривать их как полностью хаотические, бесструктурные по со­временным представлениям было бы неправильно, так как в них об­наружена упорядоченность, простирающаяся лишь на небольшие области — аморфные тела характеризуются ближним порядком.

Четкой границы между кристаллическими и аморфными те­лами провести не удается, поскольку между ближним и дальним порядками разница условна и определяется возможностями экс­периментального метода, которым исследуется структура. Если, как это чаще всего бывает, используется рентгеноструктурный анализ, то разрешающая способность находится на уровне де­сятков нанометров. Поэтому нередко говорят — рентгеноаморфное вещество, имея в виду, что если в нем есть кристаллиты, то их размер меньше 102 нм.

Более чувствительным методом изучения степени упорядочен­ности является электронно-дифрактометрический. Его использо­вание позволяет не только отнести вещество к кристаллическим или аморфным, но и выяснить многие детали кристаллической структуры, прежде всего определить зернистость структуры, то есть от­личить монокристаллический материал от поликристаллического.

В технике монокристаллом называют единичный, относитель­но крупный кристалл с совершенной структурой, заданными свойствами, полученный искусственным путем. Свойства монокристаллов за­висят в основном от природы ма­териала— они предсказуемы и однозначны.

Подавляющее большинство традиционных природных и искусственных материа­лов имеет поликристаллическую структуру.

Поликристалл — со­вокупность неориентированных относительно друг друга зерен — кристаллитов. Кристаллиты, естественно, не являются монокри­сталлами, так как они не еди­ничны, образуются в стесненных условиях, и их структура, как правило, сильно искажена.

Свойства поликристаллических тел во мно­гом определяются границами зе­рен (рис. 1.1), площадь которых в единице объема может быть очень большой.

Границы зерен-кристаллитов представляют собой нарушение пе­риодичности, сопровождающееся появлением так называемых «оборванных», ненасыщенных связей. Ясно, что электрон проводи­мости, взаимодействуя с ними, изменяет и скорость и траекто­рию, поэтому электропроводность поликристаллов заметно ниже, чем монокристаллов. Особенно велика эта разница в полупро­водниках, связи в которых направленны, в металлах границы зерен проявляют себя главным образом вследствие концентрации на них примесей (межзеренная сегрегация).

 

Рис. 1.1. Границы зерен в поликри­сталлическом материале

1.2.3. Строение идеальных кристаллов

 

В зависимости от природы химической связи, посредством которой осуществляется взаимодействие между структурными единицами, составляющими кристалл, принято различать следующие типы твердых веществ: ионные, ковалентные, металлические и твердые вещества с невалентными силами сцепления.

Ионные кристаллы - это сложные атомные кристаллы, представляющие собой соединения элементов с сильно различающейся электроотрицательностью. Преобладающим характером взаимодействия в таких веществах является электростатическое взаимодействие между заряженными ионами, его структурными единицами. Типичными представителями этого класса твердых веществ являются галогениды щелочных металлов, например NaCl, CsF и другие.

Образование ионных кристаллов можно представить следующим образом (рис.1.2). Атом галогена (F, Cl, Br, I), обладая большим сродством к электрону, захватывает валентный электрон щелочного металла (Li, K, Na и др.), имеющий малый ионизационный потенциал и при этом образуются отрицательно (анион) и положительно (катион) заряженные ионы. Даже грубые оценки показывают, что основная часть энергии связи в ионном кристалле обусловлена кулоновским (то-есть электростатическим) взаимодействием.

 

 
 

Рис. 1.2. Механизм образования остова ионных соединений со структурой NaCl

 

К ковалентным кристаллам относят атомные твердые тела, кристаллическая решетка которых образована посредством ковалентных связей между атомами. Типичными представителями ковалентных кристаллов являются алмаз, кристаллы кремния, германия, а также соединений типа AIIIBV и AIIBVI. В двух последних ковалентная связь является преобладающей, однако, в силу различной электроотрицательности элементов, имеются и дополнительные компоненты связи, например ионная. Типичным представителем такой структуры является алмаз, в котором атомы углерода связаны посредством четырех sp3- гибридных орбиталей и имеют тетраэдрическое окружение (рис 1.3.). В целом такая структура оказывается энергетически очень выгодной, что обеспечивает кристаллам высокую твердость и хрупкость.

 

 
 

Рис.1.3. Схематическое изображение углеродных связей в алмазе (кремнии, германии) (а) и элементарная ячейка с выделенным тетраэдром (б)

 

Аналогичную структуру имеют кремний (Si), германий (Ge), серое олово, а также целый ряд полупроводниковых соединений типа AIIIBV (GaAs, InSb и др.) и AIIBVI (ZnS, ZnTe, СdTe и др.), которые так и называются алмазоподобными полупроводниками.

Типичным представителем твердых веществ с двухмерной ковалентной структурой является хорошо известная структура графита, в которой связь между атомами углерода образуется посредством трех sp2-гибридных орбиталей, лежащих в одной плоскости и образующих угол 120°. Слои связаны между собой уже только ван-дер-ваальсовым взаимодействием.

Одномерный ковалентный остов характерен для s и sp-связывающих орбиталей, когда образуется линейная или цепочечная структуры. Представителями таких твердых веществ являются, например сера, селен, теллур, в структуре которых цепи или кольца (характерные для серы) с ковалентной связью связаны между собой ван-дер-ваальсовым взаимодействием.

Металлические твердые тела, или просто металлы, в отличие от других веществ, обладают рядом характерных особенностей. Это - высокие электро- и теплопроводности, отражательная способность (блеск), пластичность (ковкость), и электроположительный характер химической связи. Перечисленные свойства, по существу, обусловлены наличием в металлах свободных электронов. Металлическая связь возникает при взаимодействии электроположительных элементов, внешние электроны которых имеют малую энергию ионизации. У каждого атома натрия (Na), например, восемь соседей и только один валентный электрон, который должен быть поделен с каждым из этих соседей. Поэтому в отличие от ковалентной связи, когда пара электронов локализуется между двумя атомами, в металлической связи электрон должен иметь равную вероятность нахождения у каждого из восьми ближайших соседей. В такой ситуации электроны могут свободно перемещаться от одного иона к другому, то есть в металле внешние валентные электроны атомов коллективизированы в пространстве между ионами металла и, таким образом, стягивают ионы в кристалл.

Свободные электроны металла определяют не только электрические и другие свойства, но и кристаллическую структуру. Металлы формируют относительно простые структуры: кубическую (объемно- и гранецентрированную) и гексагональную (рис. 1.4). Лишь небольшое число металлов имеет более сложные типы решеток.

В объемно-центрированную кубическую (ОЦК) структуру (рис. 1.4, а) кристаллизуются щелочные (литий, натрий, калий и др.), некоторые щелочно-земельные (барий, стронций и др.) металлы, а также молибден и тантал.

Гранецентрированную кубическую (ГЦК) (рис. 1.4, б) решетку имеют алюминий, железо, медь, серебро, золото, платина и другие металлы. Гексагональную плотнейшую упаковку (ГПУ) (рис. 1.4, в) формируют бериллий, магний, титан, кадмий, гафний и др.

Один и тот же элемент в зависимости от внешних условиях может кристаллизоваться в различных структурах. Это явление получило название полиморфизм. Практически все металлы обладают полиморфизмом.

К кристаллам с невалентными силами сцепления или молекулярным кристаллам относят твердые тела, остов которых построен из одинаковых молекул с насыщенными связями (H2, Cl2, Br2, I2, СО2 и др.), или атомов инертных газов (Ne, Ar, Xe и др.). Только жидкий гелий не может образовать кристалл даже при самых низких достижимых сейчас температурах. Гелий остается жидким даже вблизи абсолютного нуля, что вызвано особыми квантовыми свойствами жидкого гелия.

 

 
 

Рис. 1.4. Кристаллические решетки металлов: а – объемно-центрированная кубическая, б – гранецентрированная кубическая, в - гексагональная плотнейшая упаковка

 

Силы, удерживающие атомы или молекулы в кристаллическом состоянии, по своей природе уже не связаны с перераспределением электронов, поэтому их называют невалентные. Эти силы, известные как силы Ван-дер-Ваальса, очень малы и отвечающая им энергия взаимодействия составляет 0,02-0,15 эВ (для сравнения в NaCl она составляет около 8 эВ). Кроме того, как указывалось выше, в кристаллах слоистой или цепочечной структуры, внутри которой связи ковалентные, связь между слоями (или цепочками) осуществляется силами Ван-дер-Ваальса.

Вследствие ненаправленности и ненасыщенности ван-дер-ваальсовых сил, образующиеся кристаллы, как правило, имеют плотноупакованную структуру, аналогично ионным кристаллам. Например, йод и диоксид углерода кристаллизуется в деформированную вдоль оси молекулы ГЦК структуру (рис. 1.5, а).

Ленточные или цепочечные кристаллы, в которых цепи сформированы за счет ковалентных связей, координируются ван-дер-ваальсовыми силами. Так, кристаллический теллур (рис. 1.5, б) содержит цепочки -Те-Те-Те- и образует ромбоэдрическую элементарную ячейку. Такую же структуру имеет и кристаллический полиэтилен, ковалентные цепочки которого состоят из звеньев -СН2-. Хорошо известная структура графита (рис.1.5, в) формируется при ван-дер-ваальсовом взаимодействии плоских слоев углерода, внутри которых связь также ковалентная.

 

 
 

Рис. 1.5. Кристаллическая структура йода (а); теллура (б) и графита (в). Жирными линиями показаны ковалентные связи

 







Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам...

Что делать, если нет взаимности? А теперь спустимся с небес на землю. Приземлились? Продолжаем разговор...

Что будет с Землей, если ось ее сместится на 6666 км? Что будет с Землей? - задался я вопросом...

Что делает отдел по эксплуатации и сопровождению ИС? Отвечает за сохранность данных (расписания копирования, копирование и пр.)...





Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:


©2015- 2024 zdamsam.ru Размещенные материалы защищены законодательством РФ.