ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ГЕНЕРАТОРЫ.
Сдам Сам

ПОЛЕЗНОЕ


КАТЕГОРИИ







ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ГЕНЕРАТОРЫ.





 

Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии осуществляется в фотоэлементах или солнечных элементах – полупроводниковых приборах, в которых происходит пространственное разделение положительных и отрицательных носителей заряда при поглощении полупроводником солнечного электромагнитного излучения.

Основная область применения фотоэлементов в настоящее время – искусственные спутники Земли, удалённые станции связи, морские маяки и др. Предполагается в будущем использование их в сельской местности в развивающихся странах с жарким климатом.

Фотоэлементы всё ещё остаются дорогими преобразователями. Стоимость фотоэлемента – порядка 4 долларов за 1 Вт максимальной установленной мощности, стоимость вспомогательного оборудования– 2 доллара за 1 Вт. Долговечность – 20 лет. При этих условиях стоимость выработанной энергии составляет 0,16 доллара за 1 кВт·час (при облучённости местности 5,5 кВт·ч/м² в день или приблизительно 0,5 кВт/м²).

Устройство и принцип действия фотоэлемента рассмотрим на примере самого распространённого в настоящее время фотоэлемента на основе кремния. Кремниевые фотоэлементы изготавливают путём диффузии фосфора из газовой среды в монокристалл кремния р-типа, получая тонкий слой с n-проводимостью, рис.2.4.1.

Кристалл кремния толщиной 300-400 мкм с примесью бора, обладающий р - проводимостью с одной стороны подвергают химическому травлению, при котором формируется тонкий слой материала с проводимостью n-типа путем диффузии доноров (фосфора) в поверхностный слой. Кристалл для этого нагревается в вакуумной камере до 1000ºС в атмосфере азота с добавкой хлористо-кислого фосфора.

Электрические контакты изготавливаются методом фотолитографии. Вначале для создания низкоомного контакта с кремнием испаряют и наносят титан 3, затем тонкий слой палладия 4, чтобы предупредить химическое взаимодействие титана с серебром, затем осаждают слой серебра 5 для получения токопроводящей сетки.



Последними в процессе вакуумного испарения наносят противоотражательные слои – алюминиевое напыление. На него наносится электрический металлический контакт 6.

Рис.2.4.1. Фотоэлемент. Принцип действия полупроводникового фотоэлемента.

 

Итак, в кристалле полупроводника созданы 2 области – с n-проводимостью (электронная проводимость) и р-проводимостью (дырочная проводимость), рис.2.4.1. В р-области концентрация основных носителей тока, дырок, значительно превышает концентрацию неосновных носителей, электронов, а в n-области – наоборот. По обе стороны от границы раздела областей возникают неравные концентрации электронов и дырок. Это вызывает их диффузионное движение в сторону меньшей концентрации. Электроны, переходя в р-область, оставляют за собой положительно заряженные ионы, которые не могут принять участие в проводимости, так как жёстко связаны с кристаллической решёткой. Дырки, переходя в n- область, оставляют отрицательно заряженные ионы, которые также связаны с решёткой.

Электрическая нейтральность полупроводника нарушается. Между областями р-n возникает контактная разность потенциалов (запирающий слой) и электрическое поле, препятствующее диффузии электронов и дырок. Запирающий слой обеднён носителями и имеет пониженную электропроводность. Электрическое поле контакта препятствует диффузионному движению основных носителей, ускоряет движение неосновных носителей: дырок в n-области и электронов в р-области. Неосновные носители легко перемещаются через границу контакта, создавая дрейфовый ток, который по направлению противоположен диффузионному току основных носителей. По мере установления равновесия при контакте диффузионный ток уменьшается, а дрейфовый ток растёт, пока оба не уравновесятся.

При облучении фотоэлемента световым потоком или при его нагревании в материале появляются дополнительные свободные носители. Под действием электрического поля р-n перехода они перемещаются через переход. Если замкнуть цепь, то по ней потечёт ток, пропорциональный световому потоку. Таким образом фотоэлемент сам является источником Э.Д.С.

Внутреннее поле кремниевого фотоэлемента создаёт разность потенциалов 0,5 В и допускает плотность тока до 200 А/м² при солнечном излучении 1кВт/м².

 

Вольт-амперная характеристика фотоэлемента:

G, кВт/м² U, В DI, А/м²
1,0 0,5
0,8 0,5
0,6 0,5
0,4 0,5
0,2 0,5

 

К.П.Д. фотоэлемента равен 10¸20%. Фотоэлементы соединяют последовательно, образуя модули, модули соединяются параллельно, образуя батареи. Обычно модуль состоит из 30-35 фотоэлементов. Такое соединение имеет недостатки. При выходе из строя одного из элементов или неравномерном освещении его, он переходит в режим диода с прямым или обратным смещением и может перегреться. Для предотвращения лавинного пробоя параллельно фотоэлементам устанавливают шунтирующие диоды. Фотоэлементы располагают в инертном наполнителе под прозрачной, герметичной, водонепроницаемой крышкой.

Основные технические требования к фотоэлементам:

· Исходный материал должен быть химически чистым с устойчивыми свойствами.

· Фотоэлементы должны серийно выпускаться и иметь минимальную стоимость.

· Срок службы должен быть не менее 20 лет в условиях воздействия окружающей среды при температурах от –30 до +200ºС. Электрические контакты должны быть стабильными и защищёнными от коррозии, влаги.

· Разрушение одного элемента не должно приводить к выходу из строя всей системы (параллельное, последовательное соединение, шунтирующие диоды).

· Сборные модули должны быть транспортабельны.

Фотоэлементы могут быть получены при контакте металла с полупроводником. Для этого металл осаждается в виде тонкой плёнки на основной материал и образуется р-n переход. Недостаток такой конструкции хорошее отражение от металлической поверхности и большие рекомбинационные потери в зоне перехода. При изготовлении такого фотоэлемента образуется тонкий слой окисла между металлом и полупроводником, который является изолятором. Так могут быть получены фотоэлементы с хорошими свойствами (металл-оксид-полупроводник или металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве лицевой поверхности фотоэлемента может быть использован жидкий электролит. Это обеспечивает хороший электрический контакт, но отличается сложностью изготовления, низким К.П.Д. и быстрым загрязнением.

Некоторые органические материалы на основе углерода могут обладать полупроводниковыми свойствами. Сравнительная дешевизна материалов делает создание таких фотоэлементов перспективным, но на сегодняшний день их К.П.Д. очень низок (около 1 %).

Кроме кремния для производства фотоэлементов применяются арсенид галлия (GaAs) и сульфид кадмия ( СdS). Фотоэлементы на основе арсенида галлия создают максимальную Э.Д.С. р-n перехода около 0,9 В при К.П.Д. до 12 %.

Фотоэлементы на основе сульфида кадмия могут быть изготовлены вакуумным напылением тонких плёнок соединений меди. р-n переход легко разрушается из-за диффузии ионов меди.

Для этих фотоэлементов Э.Д.С. равна 0,5 В, а К.П.Д. до 10 %.

Существуют конструкции вертикальных многопереходных элементов с последовательным или параллельным соединением переходов. В столбик последовательно или параллельно соединяют до 100 сходных переходов. Свет проникает через боковые поверхности переходов. Э.Д.С. на выходе представляет собой сумму Э.Д.С. отдельных элементов.

Широко используемые кремниевые элементы дороги из-за сложной технологии выращивания кристаллов, последующей их резки и обработки. Поэтому представляет интерес технология получения тонких плёнок кремния путём напыления парообразного кремния при температуре 2620ºС.

Лицевая поверхность фотоэлемента выполняется, так чтобы отражённое от поверхности излучение возвращалось к ней обратно (текстурированные поверхности), рис.2.4.2.

Для более эффективного использования дорогого активного материала фотоэлементов применяет концентраторы, рис.3.4.3. Увеличение радиационного потока улучшает характеристики фотоэлемента, если температура поддерживается близкой к температуре окружающего воздуха (система охлаждения). Концентрация солнечного потока осуществляется с помощью линейных параболических отражателей, а также линз, зеркал, призм.

 

Рис.2.4.2. Текстурированная поверхность фотоэлемента (увеличено).

Рис.2.4.3. Концентратор солнечного излучения для фотоэлемента .

 

Рис.2.4.4. Электрическая схема зарядного устройства с использованием фотоэлектрического преобразователя (к примеру 1).

 

Для получения коэффициента концентрации менее 5 используют не следящие за Солнцем системы, которые используют энергию как прямого, так и рассеянного излучения.

Из других преобразователей солнечной энергии в электрическую энергию можно назвать:

· термоэлектрические устройства типа термопары, в которых Э.Д.С. возникает в цепи, состоящей из разнородных проводников, контакты между которыми имеют разную температуру,

· термоэлектрические генераторы при нагревании полупроводниковых переходов и др.

Энергетическая эффективность таких систем – невелика.

 









Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:


©2015- 2018 zdamsam.ru Размещенные материалы защищены законодательством РФ.