Сдам Сам

ПОЛЕЗНОЕ


КАТЕГОРИИ







Технические характеристики биполярного транзистора КТ315А






 

 

Рисунок 2 - Схема биполярного транзистора КТ315А

Транзистор B1-B2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэ пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер
КТ315А 20- 90/1 7/10     0.4/(20/2 ) 20/10 100/ NPN

· Область применения: для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты

· Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ315А

Обозначение: Параметр
B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
tр нс  
Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
Iко мкА обратный ток коллектора
Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкэ/R В/кОм максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Iкм/Iкн мА/мА предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
Pк мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе

Статические характеристика КТ315 А



 

0,4
0,6
0,8
UБЭ, В
0,1
0,2
0,3
0,4
IБ,мА
UКЭ =0
UКЭ =10В
0,2
Кремниевые n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний.

Корпус пластмассовый, масса не более 0,18 г.

Uкэ m, В:

КТ315А – 25

КТ315Б – 20

КТ315В – 40

КТ315Г – 35

КТ315Е – 35

Iк m, мА – 100, а)

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +100.

 


б)

 

Рисунок 3 – Входные а) и выходные б) характеристики транзистора КТ 315А

|

 

 

Вопросы к экзамену


1. Способы включения выпрямительных диодов.
2. Диодные ограничители амплитуды.
3. Барьерная емкость р-n перехода. Варикапы
4. Выпрямительные полупроводниковые диоды: плоскостные и точечные. ВАХ.Принцип действия.
5. однополупериодные схема выпрямления переменного тока (напряжения).
6. двухполупериодная схема выпрямления переменного тока (напряжения).
7. Полупроводниковый стабилитрон. ВАХ.Схема параметрической стабилизации.
8. Импульсные полупроводниковые диоды. Принцип действия.
9. Диоды Шоттки. Принцип действия. Применение.
10. Туннельные диоды. ВАХ. Принцип действия. Применение.
11. Полупроводниковые резисторы: варисторы, терморезисторы, фоторезисторы.
12. Устройство и принцип действия биполярного транзистора.
13. Способы включения биполярного транзистора. Сравнительная оценка схем включения.
14. Усилитель звуковой частоты на БТ. Назначение элементов схемы. Принцип усиления.
15. Схема электронного ключа на БТ. Принцип действия.
16. Определение h-параметров БТ.
17. Полевые транзисторы с р-n переходом управляющей компании. Статические характеристики.
18. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Статические характеристики.
19. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом.Статические характеристики.
20. динисторы. ВАХ, принцип действия. Применение.

21Тиристоры. ВАХ, принцип действия. Применение
22. Фотодиоды. Принцип действия, применение.
23. Фототранзисторы. Фототиристоры.
24. Светодиоды. Принцип действия, применение.
25. Дифференциальный усилитель.
26. Операционный усилитель инвертирующий.
27. Операционный усилитель, не инвертирует.
28. Электронные ключи на биполярных и полевых транзисторах.
29. Триггер на биполярных транзисторах.
30. Мультивибратор автоколебательный.
31. Понятие логического элемента. Характеристики логических элементов.
32. Диодный логический элемент ИЛИ.
33. Диодный логический элемент И.

34. Транзисторный логический элемент НЕ.
35. Логический элемент И-НЕ в интегральном исполнении (диодно-транзисторная логика).
36. Логический элемент И-НЕ в интегральном исполнении (транзисторно-транзисторная логика). Схема с резистором в коллекторе.
37. Микросхемы транзисторной логики с эмиттерной связью
38. Логический элемент НЕ (инвертор) КМОП-структуры.
39. Логический элемент И-НЕ КМОП-структуры.
40. Логический элемент ИЛИ-НЕ КМОП-структуры.

Список рекомендованной литературы

I. Основная

1. Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев : Высшая школа, 1989

2. Вайсбурд Ф. И. и др. Электронные приборы и усилители. – М.: Радио и связь, 1987

3. Бойко В. И., Гуржий А. М., Жуйков В. Я. Основы схемотехники электронных систем – Киев : Высшая школа, 2004

 

II. Дополнительная

1. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам.-К. Техника, 1984

2. Колонтаевский Ю.Ф. Радиоэлектроника, - М.: Высшая школа, 1988

3. Жеребцов Н.П. Основы электроники.- М.: Энергоатомиздат, 1985

4. Виноградов Ю.В. Электронные приборы.- М.: Связь, 1977









Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:


©2015- 2018 zdamsam.ru Размещенные материалы защищены законодательством РФ.