Сдам Сам

ПОЛЕЗНОЕ


КАТЕГОРИИ







Контрольні завдання до глави 9





9.1. Навести форми вхідного, проміжного та вихідного сигналів із указанням числових значень амплітуд гібридної схеми на рис.9.1.

Створити гібридні схеми на елементах ОЕТ-КМОН та записати повні таблиці дійсності для реалізації:

9.2. 2 АБО.

9.3. 3І.

9.4. 2 АБО-НІ.

9.5. 2І-НІ.

9.6. RS-тригера.

9.7. Розробити гібридну схему мультиплексора (2→1).

9.8. Розробити гібридну схему демультиплексора (1→2).

9.9. Розробити гібридну схему на двоканальних ОЕТ та КМОП інверторах і заповнити таблицю станів півсуматора.

9.10. Розробити гібридну схему на двоканальних ОЕТ та КМОП інверторах і заповнити таблицю станів однорозрядного суматора.

9.11. Розробити гібридну схему універсального мажоритарного елемента (2 з 3) та скласти її таблицю дійсності.

На прикладі рис.9.2 та 7.4, 7.5 побудувати гібридні програмовані схеми та записати повні таблиці дійсності на елементах ОЕТ з ЕНП-КМОН, які реалізують операції:


9.12. .

9.13. .

9.14. .

9.15. .

9.16. .

9.17. .

9.18. .

9.19. .

9.20. .

9.21. .

9.22. .

9.23. .

9.24. .

9.25. .

9.26. .

9.27. .

9.28. .

9.29. .

9.30. .

9.31. .

9.32. .

9.33. .

9.34. .

9.35. .

9.36. .

9.37. .

9.38. .

9.39. .

9.40.



На прикладі рис.9.4 побудувати часові діаграми для гібридної схеми , коли на вході діють наступні сигнали:

9.41 .

9.42 .

9.43 .

9.44. Використовуючи значення ємностей, розрахувати коефіцієнт передачі по напрузі одного ОЕТ зі схеми на рис.9.3.

9.45. Розрахувати загальний коефіцієнт передачі по напрузі в гібридній схемі Виключне АБО (рис.9.3).


Підсумки

Півсторіччя тому на кристалі кремнію вдалося розмістити лише один винайдений на той час біполярний транзистор. Це диво ХХ століття замінило диво ХІХ століття – електронну лампу. Сьогодні, на початку ХХІ століття на такому ж кристалі кремнію нові покоління інженерів-електронщиків створюють ВІС на мільярд транзисторів.

Тенденція до зростання ступеня інтеграції залишиться назавжди, проте це вже буде в іншому вимірі – в наносвіті.

В наносвіті можуть здійснюватись відомі ідеї схемотехнічної електроніки, в основі яких знаходиться використання вдосконалених транзисторів. Це можуть бути як транзистори на квантових точках, так і одноелектронні транзистори.

Разом з тим, наносвіт сприяє народженню нових ідей, пов’язаних з хвильовими властивостями електронів, з новими технологіями та матеріалами. Тому з’являються нові елементи і пристрої наноелектроніки, реалізовані або на геть нових принципах, або на добре відомих методах обробки інформації.

 


ЛІТЕРАТУРА

1. Драгунов В. П. и др. Основы наноэлектроники: Учебн. Пособие — М.: Логос, 2006. — 496с.

2. Находкін М. Г. Фізичні основи мікро- та наноелектроніки: Підручник.-К. — Видавничо-поліграфічний центр «Київський університет», 2005. — 431с.

3. Борисенко В. Е. и др. Наноэлектроника: Учебн. Пособие. — Минск: Бином. 2009, — 224с.

4. Головин Ю. Ч. Введение в наноэлектронику. — М.: Машиностроение, 2009, — 496с.

5. Мальцев П. П. Нано- и микросистемная техника. — М.: Техносфера. 2005, — 592с.

6. Пул. Ч. Нанотехнологии. — М.: Техносфера, 2006. — 336с.

7. Мальцев П. П. Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника. — М.: Техносфера, 2006 — 152с.

8. Чаплыгин Ю. А. Нанотехнологии в электроники. — М.: Техносфера. 2005. — 448с.

9. Reith M. Theoretical and Computational Nanotechnology. V. 10, Nanodevice Modeling and Nanoelectronics. — N.4.:ASP.2008 — 840p.


 

Таблиця варіантів виконання контрольного завдання з дисципліни «Основи наноелектронної схемотехніки».

  Варіант Номер теми
5.17
Номер контрольних завдань з конспекту
B.1 2.1 3.1 4.1 5.1 1+1 6.4 7.1 8.3 9.11
B.2 2.2 3.2 4.2 5.2 2+2 6.5 7.2 8.4 9.12
B.3 2.3 3.3 4.3 5.3 3+3 6.6 7.3 8.5 9.13
B.4 2.4 3.4 4.4 5.4 4+4 6.7 7.4 8.6 9.14
B.5 2.5 3.5 4.5 5.5 5+5 6.8 7.5 8.7 9.15
B.6 2.6 3.6 4.6 5.6 6+6 6.9 7.6 8.8 9.16
B.1 2.7 3.7 4.7 5.7 7+7 6.10 7.7 8.9 9.17
B.2 2.8 3.8 4.8 5.8 8+8 6.11 7.8 8.10 9.18
B.3 2.9 3.9 4.9 5.9 9+9 6.12 7.9 8.11 9.19
B.4 2.10 3.10 4.10 5.10 10+10 6.13 7.10 8.15 9.20
B.5 2.1 3.11 4.11 5.11 2+3 6.14 7.11 8.16 9.21
B.6 2.2 3.12 4.12 5.12 2+4 6.15 7.12 8.17 9.22
B.1 2.3 3.13 4.13 5.13 2+5 6.16 7.13 8.18 9.23
B.2 2.4 3.14 4.14 5.14 2+6 6.17 7.14 8.19 9.24
B.3 2.5 3.15 4.15 5.15 2+7 6.18 7.15 8.20 9.25
B.4 2.6 3.1 4.16 5.16 2+8 6.19 7.16 8.21 9.26
B.5 2.7 3.2 4.17 5.18 2+9 6.20 7.17 8.22 9.27
B.6 2.8 3.3 4.18 5.19 3+4 6.21 7.18 8.23 9.28
B.1 2.9 3.4 4.19 5.20 3+5 6.22 7.19 8.24 9.29
B.2 2.10 3.5 4.20 5.21 3+6 6.23 7.20 8.25 9.30
B.3 2.1 3.6 4.21 5.22 3+7 6.24 7.21 8.26 9.31
B.4 2.2 3.7 4.22 5.23 3+8 6.25 7.22 8.28 9.32
B.5 2.3 3.8 4.23 5.24 4+5 6.26 7.23 8.29 9.33
B.6 2.4 3.9 4.24 5.25 4+6 6.27 7.24 8.30 9.34
B.1 2.5 3.10 4.25 5.26 4+7 6.28 7.25 8.31 9.35
B.2 2.6 3.11 4.26 5.1 4+8 6.29 7.26 8.32 9.36
B.3 2.7 3.12 4.27 5.2 5+6 6.30 7.27 8.33 9.37
B.4 2.8 3.13 4.28 5.3 5+7 6.31 7.28 8.34 9.38
B.5 2.9 3.14 4.29 5.4 6+7 6.32 7.29 8.35 9.39
B.6 2.10 3.15 4.30 5.5 6+8 6.33 7.30 8.36 9.40

 

Курсове проектування

Наносхема складається з трьох універсальних мажоритарних елементів (УМЕ) DD1,DD2 та DD3, трьох програмуючих провідників з вхідними параметрами , та , чотирьох програмуючих ключів у вигляді плавких перемичок з’єднання/роз’єднання , та і реалізує три функції та чотирьох вхідних аргументів . Знаком позначені елементи програмування.

1. Для реалізації визначених за варіантом таблиці 1 логічних функцій та запрограмувати величини параметрів , та і під’єднати відповідні їм провідники до програмуючих (нижніх) входів УМЕ, а також з’єднати чи роз’єднати програмуючі провідники , та

2. З’єднати попарно провідники аргументів , з двома інформаційними (верхніми) входами УМЕ DD1 та DD2.

3. Описати принцип дії синтезованої наносхеми.

4. Записати в мажоритарному базисі рівняння для усіх трьох логічних функцій і скласти їх таблиці істинності.

5. Створити відповідну наносхему на базі квантових коміркових автоматів (КА) на проектному планшеті системи автоматизованого проектування (САПР) QCA Designer.

6. Реалізувати комп’ютерне моделювання наносхеми і перевірити повну таблицю істинності за отриманими діаграмами вихідних логічних функцій.

7. Розрахувати на САПР загальну кількість КА, їх розміри та відстані між їх центрами, діаметри квантових острівців і загальні розміри наносхеми.

8. Зробити висновки.

Таблиця 1.

Реалізіція функцій наносхеми на КА

 

f1 f2 f3
)
)
)
)
)
(
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)

 

 







Что делать, если нет взаимности? А теперь спустимся с небес на землю. Приземлились? Продолжаем разговор...

Конфликты в семейной жизни. Как это изменить? Редкий брак и взаимоотношения существуют без конфликтов и напряженности. Через это проходят все...

ЧТО И КАК ПИСАЛИ О МОДЕ В ЖУРНАЛАХ НАЧАЛА XX ВЕКА Первый номер журнала «Аполлон» за 1909 г. начинался, по сути, с программного заявления редакции журнала...

Что будет с Землей, если ось ее сместится на 6666 км? Что будет с Землей? - задался я вопросом...





Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:


©2015- 2023 zdamsam.ru Размещенные материалы защищены законодательством РФ.