|
|
Цепи синусоидального тока с индуктивно связанными элементамиСтр 1 из 3Следующая ⇒ Цепи синусоидального тока с индуктивно связанными элементами
Рисунок 3.21 — Различные варианты индуктивной связи двух катушек с током Явлением взимной индукции наз. Появление ЭДС индукции в одном контуре при изменении магнитного поля, создаваемого другим контуром с переменным эл. током. Индуктивно связанные элементы. Если две катушки с током (контуры тока) расположены вблизи друг друга, то часть магнитного потока одной катушки пронизывает витки второй катушки и наоборот (рис.3.19). При этом изменение тока в одной из катушек приводит к появлению ЭДС во второй катушке. Эта ЭДС называется ЭДС взаимной индукции, а элементы, в которых она возникает — индуктивно связанными элементами. Собственно индуктивный элемент характеризуется следующими параметрами: индуктивностью Направление магнитного потока Ток
Рисунок 3.22 — Согласное и встречное включение катушек индуктивности
Если направления токов в обеих катушках совпадают, то и магнитные потоки катушек сонаправлены; такое включение катушек называют согласным. Тогда полный магнитный поток первой катушки Если же направления токов в катушках противоположны, то магнитные потоки катушек также направлены противоположно; такое включение катушек называют встречным. В этом случае полный магнитный поток первой катушки равен
Фотодиод светодиод Светодиод - это полупроводниковый прибор, который излучает свет при пропускании через него тока в прямом направлении. Светодиод в электрической цепи ведёт себя также как обычный диод, только прямое напряжение светодиода в зависимости от типа светодиода составляет от 1,5 до 2,5 В, то есть при прямом включении светодиода падение напряжения на нём составляет 1,5…2,5.Рабочий ток светодиода лежит обычно в диапазоне 5…20 мА, поэтому практически во всех случаях питание светодиода выполняется через гасящий резистор. Рабочий ток указывается в справочниках. Длительное превышение рабочего тока приводит неисправности светодиода. Светодиоды бывают разных цветов и типов. Они могут испускать как видимое излучение, так и инфракрасное (ИК-излучение). Инфракрасное излучение невидимо для человеческого глаза. Светодиоды в настоящее время используются очень широко, например, в различных устройствах индикации. Некоторое время назад появились сверхъяркие светодиоды, которые используются для освещения помещений вместо ламп. Такие светодиоды потребляют в десятки раз меньше электроэнергии и имеют срок службы 30000 часов и выше, что в сотни раз больше срока службы любых ламп. Правда, стоимость таких светодиодов пока высока. Фотодиод – это полупроводниковый диод с р-n-переходом, который имеет светочувствительную поверхность. При освещении р-n-перехода в нем возникают электронно-дырочные пары. Направление тока носителей совпадает с направлением обратного тока перехода, т.е. с ростом освещенности возрастает обратный ток фотодиода. Фотодиод может работать в двух режимах - фотодиодном и фотогенераторном. В фотодиодном режиме прибор подключается к источнику питания, при этом на анод должен подаваться «-», а на катод «+». фотогенераторный режим работы, когда фотодиод может использоваться без источника питания, так как сам становится источником фотоэдс, генерируя (под действием света) носители зарядов - свободные электроны. Благодаря этому фотодиод пригоден для получения электроэнергии (один фотодиод способен генерировать напряжение в диапазоне 0 - 0,4 В в зависимости от тока нагрузки, как правило, микроамперного). М-лом для изготовления фотодиодов часто служат германий и кремний. Таким образом, принцип работы фотодиода определяется выбранным режимом. В фотодиодном режиме фотодиод может работать как датчик освещённости. В фотогальваническом – как источник электроэнергии(солнечные батареи). Применяется: LED мониторы. Мышки, сканеры.
Полевые транзисторы Полевой транзистор – транзистор, в котором сила проходящего через него тока регулируется внешним электрическим полем, т.е напряжением. Это принципиальное различие между ним и биполярным транзистором, где сила основного тока регулируется управляющим током. Еще полевые транзисторы иногда называют униполярными, поскольку носителями электрического заряда в нем выступают только электроны или только дырки. Полевые транзисторы (FET: Field-Effect-Transistors) разделяются на два типа · полевой транзистор с управляющим PN-переходом (JFET: Junction-FET) · полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET: Metal-Oxid-Semiconductor-FET). Каждый из типов может быть как · с N–каналом, (в роли носителей эл заряда выступают электроны) · P-каналом. (роли носителей электрического заряда выступают дырки). Устройство полевого транзистора JFET с N-каналом Как показано на рисунке ниже, область полупроводника N-типа формирует канал между зонами P-типа. Электроды, подключаемые к концам N-канала, называются сток и исток. Полупроводники P-типа электрически соединяются между собой (закорачиваются), и представляют собой один электрод – затвор.
Подключим источник положительного напряжения к стоку, землю к истоку. Затвор также подсоединим к земле (Uзи = 0). Начнем постепенно повышать напряжение на стоке Uси. Пока Uси низкое, ширина канала максимальна. В таком состоянии полевой транзистор ведет себя как обычный проводник. Чем больше напряжение между стоком и истоком Uси, тем больше ток через канал между стоком и истоком Iси. Это состояние еще называют омическая область.
Когда транзистор находится в режиме насыщения, канал относительно узкий. Достаточно подать небольшое отрицательное напряжение на затвор Uзи, для того чтобы еще сильнее сузить канал и значительно уменьшить ток Iси (для транзистора с P-каналом на затвор подается положительное напряжение). Если продолжить понижать Uзи, канал будет сужаться, пока полностью не закроется, и ток Iси не прекратится. Значение Uзи, при котором ток Iси останавливается, называется напряжение отсечки (Uотс). Для усиления сигнала полевой транзистор JFET используют в режиме насыщения Имена электродов сток и исток носят условный характер. Если взять отдельный полевой транзистор, не подключенный к какой-либо схеме, то не будет иметь значения какая ножка корпуса сток, а какая исток. Имя электрода будет зависеть от его расположения в электрической цепи. Полевой транзистор с изолированным затвором – это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление (у некоторых моделей оно достигает 1017 Ом).
Когда Uзи достигнет своего порогового значения, концентрация электронов в области затвора превысит концентрацию дырок. Между стоком и истоком сформируется тонкий канал с электропроводностью N-типа, по которому пойдет ток Iси. Чем выше напряжение на затворе транзистора Uзи, тем шире канал и, следовательно, больше сила тока. Такой режим работы полевого транзистора называется режимом обогащения. Принцип работы МДП-транзистора с каналом P–типа такой же, только на затвор нужно подавать отрицательное напряжение относительно истока.
Операционные усилители Операционные усилители представляют собой усилители постоянного тока с низкими значениями напряжения смещения нуля и входных токов и с высоким коэффициентом усиления. По размерам и цене они практически не отличаются от отдельного транзистора. В то же время, преобразование сигнала схемой на ОУ почти исключительно определяется свойствами цепей обратных связей усилителя и отличается высокой стабильностью и воспроизводимостью. Кроме того, благодаря практически идеальным характеристикам ОУ реализация различных электронных схем на их основе оказывается значительно проще, чем на отдельных транзисторах. Поэтому операционные усилители почти полностью вытеснили отдельные транзисторы в качестве элементов схем ("кирпичиков") во многих областях аналоговой схемотехники. На рис.1 дано схемное обозначение операционного усилителя. Входной каскад его выполняется в виде дифференциального усилителя, так что операционный усилитель имеет два входа. В дальнейшем будем, при необходимости, обозначать неинвертирующий вход буквой p (positive - положительный), а инвертирующий - буквой n (negative - отрицательный). Выходное напряжение Uвых находится в одной фазе с разностью входных напряжений: Uвых = U1 - U2
Наконец, очень важное обстоятельство: операционный усилитель почти всегда охвачен глубокой отрицательной обратной связью, свойства которой и определяют свойства схемы с ОУ.
Рис. 2. Принцип отрицательной обратной связи
Часть выходного напряжения возвращается через цепь обратной связи ко входу усилителя. Если, как это показано на рис. 2, напряжение обратной связи вычитается из входного напряжения, обратная связь называется отрицательной. Для физического анализа схемы, представленной на рис. 2, допустим, что входное напряжение изменилось от нуля до некоторого положительного значения Uвх. В первый момент выходное напряжение Uвых, а следовательно, и напряжение обратной связи bUвых также равны нулю. При этом напряжение, приложенное ко входу операционного усилителя, составит Uд = Uвх. Так как это напряжение усиливается усилителем с большим коэффициентом усиления KU, то величина Uвых быстро возрастет до некоторого положительного значения и вместе с ней возрастет также величина bUвых. Это приведет к уменьшению напряжения Uд, приложенного ко входу усилителя. Тот факт, что выходное напряжение воздействует на входное напряжение, причем так, что это влияние направлено в сторону, противоположную изменениям входной величины и есть проявление отрицательной обратной связи. После достижения устойчивого состояния выходное напряжение ОУ Uвых =KUUд =KU(Uвх - bUвых). Решив это уравнение относительно Uвых, получим: K=Uвых /Uвх =KU/(1 + bKU) (1) При bKU >>1 коэффициент усиления ОУ, охваченного обратной связью составит K ~=1/b (2) Таким образом, из этого соотношения следует, что коэффициент усиления ОУ с обратной связью определяется почти исключительно только обратной связью и мало зависит от параметров самого усилителя. В простейшем случае цепь обратной связи представляет собой резистивный делитель напряжения. При этом схема с ОУ работает как линейный усилитель, коэффициент усиления которого определяется только коэффициентом ослабления цепи обратной связи. Если в качестве цепи обратной связи применяется RC-цепь, то образуется активный фильтр. Наконец, включение в цепь обратной связи ОУ диодов и транзисторов позволяет реализовать нелинейные преобразования сигналов с высокой точностью. Операционные усилители выпускаются в малогабаритных корпусах и очень дешевы, что способствует их массовому распространению. Применение операционных усилителей в качестве блоков позволяет упростить создание схем и делает их чтение более лёгким, чем при использовании дискретных компонентов (транзисторов, резисторов, конденсаторов). При проектировании схем в первом приближении операционные усилители рассматривают как идеальные дифференциальные компоненты, и только при последующих шагах учитывают все неидеальности и ограничения этих устройств.
Интегральная микросхема Твердотельная интегральная микросхема - это законченный функциональный электронный узел, элементы которого конструктивно не разделены и изготавливаются в едином технологическом процессе, в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Типичная ИС состоит из множества соединенных между собой микроэлектронных компонентов, таких, как транзисторы, резисторы, конденсаторы и диоды, изготовленные в поверхностном слое кристалла. По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делятся наполупроводниковые и гибридно-пленочные. Полупроводниковые микросхемы имеют в своей основе монокристалл полупроводникового материала (обычно кремния), в поверхностном слое которого методами литографии и избирательного легирования создаются транзисторы, диоды, резисторы и (иногда) конденсаторы, а соединения между ними формируются по поверхности кристалла с помощьютонкоплёночной технологии. Полупроводниковые микросхемы могут бытьоднокристальными (монолитными) и многокристальными (микросборками). Однокристальная микросхема может иметь индивидуальный герметизированный корпус с внешними выводами для монтажа на коммутационной (печатной) плате, или быть бескорпусной и входить в состав микросборки. Многокристальная микросхема (микросборка) представляет собой совокупность бескорпусных микросхем, смонтированных на общей коммутационной плате. В качестве компонентов в микросборке могут присутствовать бескорпусные согласующие резисторы и развязывающие конденсаторы. Вследствие высокой насыщенности связей коммутационная плата выполняется многоуровневой и, таким образом, является миниатюрным аналогом многослойной печатной платы. При изготовлении коммутационной платы может быть использована как тонкоплёночная, так и толстоплёночная технологии. Гибридно-плёночные микросхемы включают в себя плёночные пассивные элементы (резисторы и конденсаторы), коммутационные проводники, нанесённые непосредственно на подложку из изоляционного материала, и бескорпусные полупроводниковые кристаллы (транзисторы, диоды, диодные матрицы, несложные микросхемы), монтируемые на той же подложке. Пассивные элементы и проводники могут быть выполнены по тонкоплёночной или толстоплёночной технологии. В качестве активных элементов в полупроводниковых микросхемах используютсяуниполярные (полевые) транзисторы со структурой “металл – диэлектрик (оксид) – полупроводник” (МДП- или МОП-транзисторы) и биполярные транзисторы. В соответствии с этим все полупроводниковые микросхемы делятся на три основные вида: биполярные, униполярные (МДП или МОП) и биполярно-полевые. Число элементов в интегральной микросхеме характеризует ее степень интеграции. · малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле, · средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле, · большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле, · сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле. Интегральные микросхемы в зависимости от функционального предназначения делятся на - аналоговые и цифровые. · Аналоговые интегральные микросхемы (АИМС) предназначены для преобразования и обработки сигналов, непрерывно изменяющихся по уровню и во времени. Они широко применяются в аппаратуре звуковоспроизведения и звукоусиления, радиоприемниках и телевизорах · цифровые микросхемы предназначены для выполнения определенных логических действий над входными сигналами. Основу работы цифровых микросхем составляет двоичная система счисления. 0,1 Процесс создания полупроводниковой микросхемы сводится к формированию в приповерхностном слое полупроводниковой пластины элементов (транзисторов, диодов, резисторов) и к последующему их объединению в функциональную схему пленочными проводниками по поверхности пластины (межсоединения). При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины. Ввиду малости линейных размеров элементов микросхем, от использования видимого света и даже ближнегоультрафиолета при засветке отказались. В качестве характеристики технологического процесса производства микросхем указывают минимальные контролируемые размеры топологии фотоповторителя (контактные окна в оксиде кремния, ширина затворов в транзисторах и т. д.) и, как следствие, размеры транзисторов (и других элементов) на кристалле. Этот параметр, однако, находится во взаимозависимости с рядом других производственных возможностей: чистотой получаемого кремния, характеристиками инжекторов, методами фотолитографии, методами вытравливания и напыления. Интегральные схемы обладают целым рядом преимуществ перед своими предшественниками – схемами, которые собирались из отдельных компонентов, ИС имеют меньшие размеры, более высокие быстродействие и надежность; они, кроме того, дешевле и в меньшей степени подвержены отказам, вызываемым воздействиями вибраций, влаги и старения. Цепи синусоидального тока с индуктивно связанными элементами
Рисунок 3.21 — Различные варианты индуктивной связи двух катушек с током Явлением взимной индукции наз. Появление ЭДС индукции в одном контуре при изменении магнитного поля, создаваемого другим контуром с переменным эл. током. Индуктивно связанные элементы. Если две катушки с током (контуры тока) расположены вблизи друг друга, то часть магнитного потока одной катушки пронизывает витки второй катушки и наоборот (рис.3.19). При этом изменение тока в одной из катушек приводит к появлению ЭДС во второй катушке. Эта ЭДС называется ЭДС взаимной индукции, а элементы, в которых она возникает — индуктивно связанными элементами. Собственно индуктивный элемент характеризуется следующими параметрами: индуктивностью Направление магнитного потока Ток
Рисунок 3.22 — Согласное и встречное включение катушек индуктивности
Если направления токов в обеих катушках совпадают, то и магнитные потоки катушек сонаправлены; такое включение катушек называют согласным. Тогда полный магнитный поток первой катушки Если же направления токов в катушках противоположны, то магнитные потоки катушек также направлены противоположно; такое включение катушек называют встречным. В этом случае полный магнитный поток первой катушки равен
  Что вызывает тренды на фондовых и товарных рынках Объяснение теории грузового поезда Первые 17 лет моих рыночных исследований сводились к попыткам вычислить, когда этот...  Конфликты в семейной жизни. Как это изменить? Редкий брак и взаимоотношения существуют без конфликтов и напряженности. Через это проходят все...  ЧТО ПРОИСХОДИТ ВО ВЗРОСЛОЙ ЖИЗНИ? Если вы все еще «неправильно» связаны с матерью, вы избегаете отделения и независимого взрослого существования...  Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
Индуктивная связь М в цепи переменного тока возникает вследствие пересечения или объединения магнитных потоков близко расположенных индуктивных элементов (рис.3.21).
, количеством витков проводника 
и потоком магнитного поля 
. Величина 
называется потокосцеплением данного индуктивного элемента. Индуктивно связанный элемент помимо собственной индуктивности 
. В зависимости от направленности стороннего магнитного потока относительно собственного магнитного потока данного индуктивного элемента, величина его индуктивности может увеличиваться до величины 
или уменьшаться до 
.
в первой индуктивно связанной катушке (рис.3.22) создает в ней магнитный поток самоиндукции 
. Но, кроме собственного магнитного потока, сквозь витки первой катушки проходит и дополнительный поток взаимной индукции 
, вызванный током 
, протекающим во второй индуктивно связанной катушке. Аналогично, вторую индуктивно связанную катушку наряду с собственным потоком 
пронизывает дополнительный поток 
, вызванный током 
, а второй катушки 
, т.е. полный магнитный поток в согласно включенных катушках увеличивается.
, а второй катушки 
, т.е. полный магнитный поток во встречно включенных катушках уменьшается.
При повышении Uси, в полупроводнике N-типа в зонах PN-перехода постепенно снижается количество свободных электронов – появляется обедненный слой. Этот слой растет несимметрично – больше со стороны стока, поскольку туда подключен источник напряжения. В результате канал сужается настолько, что при дальнейшем повышении Uси, Iси будет расти очень незначительно. Это состояние называют режим насыщения.
Подключим напряжение любой полярности между стоком и истоком. В этом случае электрический ток не пойдет, поскольку между зонами N+ находиться область P, не пропускающая электроны. Далее, если подать на затвор положительное напряжение относительно истока Uзи, возникнет электрическое поле. Оно будет выталкивать положительные ионы (дырки) из зоны P в сторону подложки. В результате под затвором концентрация дырок начнет уменьшаться, и их место займут электроны, притягиваемые положительным напряжением на затворе.
Рис. 1. Обозначение ОУЧтобы обеспечить возможность работы операционного усилителя как с положительными, так и с отрицательными входными сигналами, следует использовать двухполярное питающее напряжение. Для этого нужно предусмотреть два источника постоянного тока, которые, как это показано на рис. 1, подключаются к соответствующим внешним выводам ОУ. Обычно интегральные операционные усилители работают с напряжением питания +/-15 В. В дальнейшем, рассматривая схемы на ОУ, мы, как правило, не будем указывать выводы питания.
Принцип введения отрицательной обратной связи показан на рис.2.