|
Назначение оперативных запоминающих устройств.ОЗУ является одним из первых устройств вычислительной машины. ОНО присутствовало уже в первом поколении ЭВМ. Вследствие этого в ЭВМ первого поколения использовалась энергонезависимая память(Энергонезависимая память (англ. NVRAM, от Non Volatile Random Access Memory) — перезаписываемая или оперативная память в электронном устройстве, сохраняющая своё содержимое вне зависимости от подачи основного питания на устройство. В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения. Однако попадающие под это определение носители информации, ПЗУ, ППЗУ, устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие носят свои, более точные названия.) Энергонезависимая память позволяла хранить введённые данные(до 1 месяца) при отключённом питании. Чаще всего в качестве энергонезависимой памяти использовались ферритовые сердечники. Применение ферритовых сердечников в качестве запоминающих элементов обусловлена их свойством сохранять после намагничивания одно из 2 устойчивых состояний. Память на ФС работала медленно и неэффективно. На перемагничивание сердечников требовалось время и затрачивалось много электрической энергии. Поэтому с улучшением надёжности элементной базы ЭВМ ЭНП стала вытесняться энергозависимой более быстрой, экономной. Преимущества Полупроводниковой памяти: · Малая рассеиваемая мощность · Высокое быстродействие · Компактность Что делает её незаменимой в ОЗУ современных компьютеров. ОЗУ предназначено для хранения информации непосредственно участвующей в вычислительном процессе на текущем этапе функционирования ПК. Основу ОЗУ составляют БИС, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих элементов (триггеров). Запоминающие элементы расположены на пересечении горизонтальных и вертикальных шин матрицы. Запись и считывание информации осуществляется подачей элементов импульсов по тем шинам матрицы, которые соеденены с элементами принадлежащими встроенной ячейке памяти.
Вопрос №43 Статические и динамические ОЗУ. Виды модулей DRAM. Статическая память, или SRAM (Statistic RAM) является наиболее производительным типом памяти. Микросхемы SRAM применяются для кэширования оперативной памяти, в которой используются микросхемы динамической памяти, а также для кэширования данных в механических устройствах хранения информации, в блоках памяти видеоадаптеров и т. д. Фактически, микросхемы SRAM используются там, где необходимый объем памяти не очень велик, но высоки требования к быстродействию, а раз так, то оправдано использование дорогостоящих микросхем. Динамическая память Виды модулей DRAM. 1. DIP (Dual In-line Package, также DIL) — тип корпуса микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Может быть выполнен из пластика (PDIP) или керамики (CDIP). Обычно в обозначении также указывается число выводов. Например, корпус микросхемы распространённой серии ТТЛ-логики 7400, имеющий 14 выводов, может обозначаться как DIP14. В корпусе DIP могут выпускаться различные полупроводниковые или пассивные компоненты — микросхемы, сборки диодов, транзисторов, резисторов, малогабаритные переключатели. Компоненты могут непосредственно впаиваться в печатную плату, также могут использоваться недорогие разъёмы для снижения риска повреждения компонента при пайке. Корпус DIP был изобретён компанией Fairchild Semiconductor в 1965 году. Его появление позволило увеличить плотность монтажа по сравнению с применявшимися ранее круглыми корпусами. Корпус хорошо подходит для автоматизированной сборки. Однако размеры корпуса оставались относительно большими по сравнению с размерами полупроводникового кристалла. Корпуса DIP широко использовались в 1970-х и 1980-х годах. Впоследствии широкое распространение получили корпуса для поверхностного монтажа, в частности PLCC и SOIC, имевшие меньшие габариты. Выпуск некоторых компонентов в корпусах DIP продолжается в настоящее время, однако большинство компонентов, разработанных в 2000-х годах, не выпускаются в таких корпусах. Компоненты в DIP-корпусах удобнее применять при макетировании устройств без пайки на специальных платах-бредбордах. Корпуса DIP долгое время сохраняли популярность для программируемых устройств, таких как ПЗУ и простые ПЛИС (GAL) — корпус с разъёмом позволяет легко производить программирование компонента вне устройства. В настоящее время это преимущество потеряло актуальность в связи с развитием технологии внутрисхемного программирования. 2. SIPP (англ. S ingle I n-line P in P ackage) — модули памяти с однорядным расположением контактов. Рис.1. Два модуля памяти SIPP Модуль состоит из небольшой печатной платы, на которой установлено определенное количество чипов памяти. Модуль имеет 30 контактов в один ряд, которые устанавливаются в соответствующие отверстия на материнской плате компьютера. Этот тип памяти использовался в 80286 и некоторых 80386 системах. Он был позже заменен модулями типа SIMM, которые оказались проще в установке. 30-контактные SIPP модули совместимы по выводам с 30-контактными SIMM модулями, что объясняет, почему некоторые SIPP модули были на самом деле SIMM модулями с выводами, припаянными к контактам. 30 контактов модулей SIPP часто гнулись или ломались во время установки, поэтому модули были довольно быстро заменены на SIMM с контактными пластинами. 3. SIMM (англ. S ingle I n-line M emory M odule) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы. Имели несколько модификаций, среди которых наибольшее распространение получили три. Первая — 30-контактный модуль, имевший объем от 64 КБайт до 16 МБайт и восьмиразрядную шину данных, дополняемую (иногда) девятой линией контроля четности памяти. Применялся в Intel 8088, 286, 386 машинах. На материнских платах с процессорами 8088, модули ставились по одному, в случае процессоров 286, 386SX модули ставились парами, на 386DX — по четыре штуки одинаковой емкости. С приходом 486 машин, для которых эти модули надо было бы ставить по четыре (как минимум), штуки был вытеснен 72-контактным модулем SIMM, который, по существу, объединил на себе 4 30-контактных модуля с общими линиями адреса и раздельными линиями данных. Таким образом, модуль становится 32-разрядным и достаточно всего одного модуля. Объем от 1 МБайт до 128 МБайт. 72-контактные модули появились вначале на брэндовых (Compaq, HP, Acer и другие) PC в эпоху процессоров 486, и на практически всех материнских платах всех производителей с переходом на Pentium. С появлением Pentium, по причине низкого быстродействия динамической памяти SIMM-модулей, их спецификация претерпела изменения, в результате чего более новые модули (их называли EDO) стали несовместимы со старыми (FPM), обладая немного большим быстродействием. Платы Pentium, как правило, поддерживали оба типа памяти, в то время как большинство 486 машин поддерживали только старый (FPM) тип. Отличить по внешнему виду их было практически невозможно (внешнее отличие было только в маркировке микросхем), и на практике чаще использовался метод «научного тыка». Установка «неправильного» типа памяти не приводила к неисправностям — система просто не видела памяти. Так как на платах Pentium с 64-разрядной шиной данных уже 72-контактные модули потребовалось ставить парами, постепенно и их попарно «объединили», результатом чего стало появлением первых модулей DIMM. 4. DIMM (англ. D ual I n-line M emory M odule, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM с 32 линиями. Конструктивно представляет собой модуль памяти в виде длинной прямоугольной платы с рядами контактных площадок с обеих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы. В отличие от форм-фактора SIMM, используемого для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначен для памяти типа SDRAM. Изготавливались модули рассчитанные на напряжение питания 3,3 В и (реже) 5 В. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом. Рис.2. Модули SO-DIMM В дальнейшем, в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR, DDR II и DDR III, отличающуюся повышенным быстродействием. Появлению форм-фактора DIMM способствовало появление процессора Pentium, который имел 64-разрядную шину данных. В профессиональных рабочих станциях, таких, как SPARCstation, такой тип памяти использовался с начала 1990-х годов. В компьютерах общего назначения широкий переход на этот тип памяти произошёл в конце 1990-х, примерно во времена процессора Pentium II. Разновидности Существуют следующие типы DIMM: · 72-pin SO-DIMM (не совместима с 72-pin SIMM) — используется для FPM DRAM и EDO DRAM · 100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM · 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM · 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах) · 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM · 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM · 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM · 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM · 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM · 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM FPM DRAM Быстрая страничная память (англ. fast page mode DRAM, FPM DRAM) появилась в 1995 году. Принципиально новых изменений память не претерпела, а увеличение скорости работы достигалось путём повышенной нагрузки на аппаратную часть памяти. Данный тип памяти в основном применялся для компьютеров с процессорами Intel 80486 или аналогичных процессоров других фирм. Память могла работать на частотах 25 и 33 МГц со временем полного доступа 70 и 60 нс и со временем рабочего цикла 40 и 35 нс соответственно. Вопрос №44 ЧТО ПРОИСХОДИТ, КОГДА МЫ ССОРИМСЯ Не понимая различий, существующих между мужчинами и женщинами, очень легко довести дело до ссоры... ЧТО И КАК ПИСАЛИ О МОДЕ В ЖУРНАЛАХ НАЧАЛА XX ВЕКА Первый номер журнала «Аполлон» за 1909 г. начинался, по сути, с программного заявления редакции журнала... Что будет с Землей, если ось ее сместится на 6666 км? Что будет с Землей? - задался я вопросом... Живите по правилу: МАЛО ЛИ ЧТО НА СВЕТЕ СУЩЕСТВУЕТ? Я неслучайно подчеркиваю, что место в голове ограничено, а информации вокруг много, и что ваше право... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|