Расчёт автоколебательного мультивибратора.

Произведем расчёт автоколебательного мультивибратора на ИЛЭ И - НЕ серии К155:

Проверяем условия:

R < R¹_ВХ*[(I ¹_ВХ * R¹_ВХ / U )-1] = 230,47(Ом)

R > R¹_ВХ*[(I ¹_ВХ * R¹_ВХ / U )-1]^-1 = 666,67(Ом)

Uпф/Uзф= 0,79= R / (R + 200)

R - 0,79*R = 0,79*200

R = 752,38 (Ом)

Условия выполняются.

Выбираем из шкалы номинальных значений R = 750 Oм.

Рассчитаем ёмкость конденсаторов.

Т.к. t =T - t =12-6=6=t ,то мультивибратор симметричный, и C =C

C = =

= =6,76*10 (Ф)

Выбираем из шкалы номинальных значений

C = C = 6,8*10 Ф.

Электронный ключ на транзисторе.

Общие сведения. Принцип действия.

Электронный ключ –основной функциональный узел дискретной схемотехники для переключения токов или потенциалов на нагрузке. []

В импульсных устройствах очень часто требуется коммутировать (включать и выключать) электрические цепи.Эта операция выполняется бесконтактным способом с помощью транзисторных ключей.

Ключевые схемы используются для построения генераторов и формирователей импульсов, а также различных логических схем цифровой вычислительной техники. Ключ выполняет элементарную операцию инверсии логической переменной и называется инвертором.

В статическом режиме ключ находится в состоянии “включено” (ключ замкнут), либо в состоянии “выключено” (ключ разомкнут). Переключение ключа из одного состояния в другое происходит под воздействием входных управляющих сигналов: импульсов или уровней напряжения. Простейшие ключевые схемы имеют один управляющий вход и один выход.

Основу ключа составляет транзистор в дискретном или интегральном исполнении.

В зависимости от состояния ключ шунтирует внешнюю нагрузку большим или малым выходным сопротивлением. В этом и заключается коммутация цепи, производимая транзисторным ключом.

Основными параметрами ключа являются:

--быстродействие, определяемое максимально возможным числом переключений в секунду; для интегральных ключевых схем оно составляет миллионы коммутаций;

--длительность фронтов выходных сигналов;

--внутренние сопротивления в открытом и закрытом состоянии;

--потребляемая мощность;

--помехоустойчивость, равная уровню помехи на входе, вызывающей ложное переключение;

--стабильность пороговых уровней, при которых происходит переключение;

--надежность работы в реальных условиях старения радиодеталей, изменения источников питания и т.д.

В ключевых схемах в общем случае используются все основные схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), с общим коллектором (ОК), ключ-“звезда”, с общим эмиттером (ОЭ). Наибольшее применение получили транзисторные ключи по схеме с ОЭ.

Статические характеристики.

Поведение ключа в статическом режиме определяется выходными I и входными I характеристиками транзистора по схеме с ОЭ.

На выходных характеристиках выделяются три области, которые определяют режим отсечки коллекторного тока, активный режим и режим насыщения ключевой схемы.

Область отсечки определяется точками пересечения линии нагрузки R с самой нижней кривой семейства выходных характеристик с параметром I = - I . Этой области соответствует режим отсечки, при котором:

--транзистор закрыт, т.к. оба его перехода смещены в обратном направлении

U >0, U <0

--напряжение U = - E +I *R - E

--ток коллектора минимален и определяется обратным (тепловым) током коллекторного перехода I =I

--ток базы I = - I ,а ток эмиттера I =0

--сопротивление транзистора постоянному току наибольшее

R = 100 кОм.

Активная область расположена между нижней кривой коллекторного тока и линией насыщения. Этой области соответствует активный нормальный режим, при котором эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный -- в обратном:

U <0,U >0

Ток коллектора I =B*I +(B+1)I =B*I +I ; I =(B+1)I .

Где B – коэффициент усиления базового тока в схеме с ОЭ.

Область насыщения определяется точками пересечения линии нагрузки с линией насыщения. Этой области соответствует режим насыщения. При котором:

--транзистор открыт, т.к. оба его перехода смещены в прямом направлении

U <0,U <0

--напряжение U и U насыщенного транзистора составляет доли вольта

--максимальный ток транзистора (ток насыщения) I , практически не зависит от параметров транзистора

I = (3.1)

--сопротивление транзистора постоянному току минимально (десятки ом)

r =

Коллекторный ток насыщения достигается при граничном токе базы I = = . (3.2)

Глубина или степень насыщения транзистора определяется коэффициентом насыщения S

S= .

Что делать, если нет взаимности? А теперь спустимся с небес на землю. Приземлились? Продолжаем разговор...

Что будет с Землей, если ось ее сместится на 6666 км? Что будет с Землей? - задался я вопросом...

Что вызывает тренды на фондовых и товарных рынках Объяснение теории грузового поезда Первые 17 лет моих рыночных исследований сводились к попыткам вычис­лить, когда этот...

ЧТО И КАК ПИСАЛИ О МОДЕ В ЖУРНАЛАХ НАЧАЛА XX ВЕКА Первый номер журнала «Аполлон» за 1909 г. начинался, по сути, с программного заявления редакции журнала...

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте: