|
|
Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры ⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 3
рис. 4.13 рис. 4.14
характер (5.3), крутизна является линейной функцией напряжения на затворе (рис. 4.13) и растет с увеличением тока стока (pиc. 4.14). Выходная проводимость, аналитическое выражение которой может быть получено дифференцированием (1.2) по пере-менной Uси, уменьшается с ростом обратного напряжения на затворе (см. рис. 4.15) и существенно зависит от напряжения на стоке. Из этой зависимости, представленной на рис. 1.13, оси по результатам дифференцирования (5.2) для транзистора с n – р - переходом, следует, что при напряжениях на стоке, меньших некоторого напряжения Uси1, выходная проводимость резко увеличивается.
рис. 4.15 Рис. 4.16
Характеристики и параметры полевых транзисторов подвержены влиянию температуры окружающейсреды. Изменения температуры приводят к изменению контактной разности потенциалов n — р-перехода На рис. 4.16,а показано семейст-во характеристик прямой передачи полевого транзистора при различных температурах, имеющее веерообразный характер: ток стока с увеличением температуры уменьшается, и температурный коэффициент тока стока Для зависимости Iс=f(Uзи), показанной на рис.4.16,б, температурный коэффициент тока стока отрицателен, если Uзи<U0зи, и положителен, если Uзи>U0зи. Величина тока стока при напряжении U0зи, практически не зависит от температуры окружающей среды. Точка на характеристике прямой передачи, соответствующая U0зи, называется термостабильной точкой, ток в ней — термостабильным током. Режим термостабильного тока может использоваться в усилителях, но следует иметь в виду, что крутизна в этой точке мала и зависит от температуры. Из этого не следует делать вывод о возможности получения абсолютной температурной стабильности выходного тока транзистора, так как ток затвора, являющийся током обратносмещенного в n— р- перехода, принципиально зависит от температуры, что приводит к нестабильности смещения на затворе и, следователь-но, к нестабильности тока стока. Напряжение теплового сдвига характеристик (см. рис. 4.16,a) мо-жет быть вычислено по формуле
Здесь Uзи отс— напряжение отсечки; Uзи1 – смещение на затворе в данной рабочей точке; Изменение тока затвора вычисляется как:
Здесь IЗ0 - ток затвора при комнатной температуре, который в кремниевых полевых транзисторах не превышает 2*10-8 А; а =0,13 К-1. 0,13 K 1. Для нормальной работы транзистора необходимо включение во входной цепи транзистора резистора утечки, обеспечивающего цепь для протекания тока затвора. Чтобы изменение тока затвора не меняло заметно напряжение на затворе, максимальная величина сопротивления резистора утечки не должна превышать некоторой величины, которая оговаривается в справочных данных транзистора. Крутизна в рабочей точке при температуре Т2 определяется по формуле:
где S(Т1) - крутизна в рабочей точке при температуре Т1, полученная дифференцированием (5.3) с учетом зависимости параметров, входящих в (5.3), от температуры и формулы (5.7)
Подобно биполярным транзисторам, полевые транзисторы используют в трех основных схемах включения: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). Усилительный каскад по схеме ОИ аналогичен схеме ОЭ. Он дает большое усиление тока и мощности и инвертирует фазу входного напряжения. Коэффициент усиления каскада по напряжению приближенно равен Ku= SRH. Схема ОС подобна эмиттерному повторителю и называется истоковым повторителем. Коэффициент усиления каскада по напряжению близок к единице. Усилитель по схеме ОС имеет сравнительно небольшое выходное сопротивление и большое входное сопротивление. Кроме того, здесь значительно уменьшена входная емкость, что способствует увеличению входного сопротивления на высоких частотах. Схема ОЗ аналогична схеме ОБ. Схема не усиливает тока, поэтому коэффициент усиления по мощности во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Эта схема имеет малое входное сопротивление, так как входным током является ток стока. Фаза напряжения при усилении не инвертируется. Маркировка транзисторов К Т 3 1 5 А, Г Т 7 0 1 А, К П 3 0 3 Е 1 2 3 4 5 6 Аналогично диодам. 1 – характеризует материал. Г,1 –Ge; К,2 –Si; 2 – функциональное назначение. Т – транзистор(биполярный); П – полевой; 3 – цифра связанная с мощьностью рассеивания и его частотными свойствами.
  Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам...  Что делает отдел по эксплуатации и сопровождению ИС? Отвечает за сохранность данных (расписания копирования, копирование и пр.)...  Что делать, если нет взаимности? А теперь спустимся с небес на землю. Приземлились? Продолжаем разговор...  ЧТО ПРОИСХОДИТ, КОГДА МЫ ССОРИМСЯ Не понимая различий, существующих между мужчинами и женщинами, очень легко довести дело до ссоры... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
Низкочастотные значения крутизны и выходной проводимости полевого транзистора существенно зависят от режима работы. Вследствие того что характеристика прямой передачи имеет четко выраженный квадратичный
и подвижности носителей заряда, что вызывает температур-ную нестабильность тока стока Ic, напряжения отсечки Uзи отс, порогового напряжения, крутизны транзистора и обратного тока затвора. С повышением температуры уменьшаются 
оказывается отрицательным.
(4.13)
- изменение температуры Т относительно комнатной температуры Т0.
(4.14)
(4.15)