|
|
Частотные свойства полевых транзисторов ⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 3 Частотные свойства биполярных транзисторов определялись процессами инжекции носителей и их диффузионного распространения в базе транзистора. В полевых транзисторах явления инжекции и диффузии отсутствуют. Поэтому их частотные свойства определяются только процессами перезаряда межэлектродных емкостей. В частности, вследствие шунтирующего действия емкостей Сзи,Сзс на высоких частотах полевой транзистор по цепи затвора может потреблять от источника сигнала значительную мощность. При этом падает крутизна стоко-затворной характеристики Работа полевого транзистора в импульсном режиме В импульсном или ключевом режиме используются в основном транзисторы с индуцированным каналом, что объясняется наличием у них порогового напряжения. При Uзи < Uзи пор транзистор закрыт, а при Uзи > Uиз пор транзистор открыт. Временные диаграммы воздействия управляющего импульса Uвх показаны на рис. 15.
Рис.15 В течение времени tвкл происходит перезаряд входных емкостей транзистора и формируется проводящее состояние канала. За время tвыкл транзистор переходит в исходное состояние. Эти величины характеризуют полевые транзисторы в ключевом режиме работы. Основные параметры полевых транзисторов Параметры полевых транзисторов можно разделить на специфические, характерные только для полевых транзисторов, и эксплуатационные. К первой группе относятся следующие параметры. Крутизна стоко-затворной характеристики − S = ∆Ic/∆Uзи при Uси − const, которая характеризует управляющие свойства напряжения на затворе на ток стока. Для оценки влияния подложки на процессы в канале вводят крутизну по подложке Sп = ΔIс нас/ΔUп при Uзи − const, Uси − const. Обычно SП < S. При соединении затвора с подложкой суммарная крутизна S* = S + SП. Выходное дифференциальное сопротивление − Коэффициент усиления − μ = − ∆Uси/∆Uзи при Iс − const, который сравнивает влияния напряжений Uси и Uзи на рост тока стока Iс. Приведенные выше параметры связаны выражением μ = SRi. Эксплуатационные параметры определяются по ВАХ. Основными из них являются: Uзи отс или Uзи пор, Iс max, Uси max. К этой группе относятся и параметры, характеризующие полевые транзисторы по быстродействию: ωs, tвкл, tвыкл.
ПРАКТИЧЕСКОЕ ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ В процессе выполнения лабораторной работы студентам необходимо получить реальные семейства стоко-затворных (передаточных) и стоковых (выходных) вольт-амперных характеристик исследуемого полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, с каналом р-типа, выполнить расчеты параметров транзистора по полученным ВАХ. Сделать выводы по результатам работы. Работа выполняется на специализированном стенде «Луч» со съемными схемными панелями и исследуемыми элементами. Перед началом работы студентам необходимо ознакомиться с основными характеристиками и параметрами, схемами включения и режимами работы полевых транзисторов приведенных в методических указаниях. Порядок выполнения работы Для исследования установить измерительную панель № 7. В качестве исследуемого элемента используется кремниевый полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, с каналом р-типа КП103. Собрать схему измерений, представленную на рис. 16.
Рис. 16 В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы: − ГН 1 − генератор (источник) напряжения; − РU 1 (UЗИ) − вольтметр АВМ 1 с пределом измерения 2.5 В; − РА 1 (IС) − амперметр АВМ 2 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА; − ГН 2 − генератор (источник) напряжения; − PU 2 (UКБ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В; − VT1 − полевой транзистор КП103.   Что делает отдел по эксплуатации и сопровождению ИС? Отвечает за сохранность данных (расписания копирования, копирование и пр.)...  Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам...  Что будет с Землей, если ось ее сместится на 6666 км? Что будет с Землей? - задался я вопросом...  Что способствует осуществлению желаний? Стопроцентная, непоколебимая уверенность в своем... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
, где 
- предельная частота проводимости прямой передачи, на которой крутизна характеристики уменьшается в √¯2 раз, что свидетельствует об ухудшении усилительных свойств транзистора с повышением частоты.
.