|
|
Т-образная эквивалентная схема транзистора ОБ
·
·
· ·
· Обратная связь (ОС) – передача части мощности сигнала с выхода на вход схемы. Таким образом, ёмкость КП на ВЧ ухудшает усилительные свойства транзистора. ·
Транзисторе. H-параметры Недостаток первичных параметров – невозможность их измерения, т.к. общая точка, относительно которой определяются первичные параметры, находится внутри Базы транзистора. Поэтому переходят к вторичным параметрам транзистора, которые легко измерить. Самыми распространенными вторичными параметрами транзистора являются h-параметры. В системе h-параметров в качестве независимых переменных (аргументов) принимают входной ток (I1) и выходное напряжение (U2). Зависимыми переменными (функциями) являются входное напряжение (U1) и выходной ток (I2).
U1 = h11I1 + h12U2 I2 = h21I1 + h22U2
Здесь I1, I2, U1, U2 – амплитуды переменных токов и напряжений (индекс «1» относится к входному сигналу, а индекс «2» - к выходному), h11, h12, h21,h22 являются коэффициентами пропорциональности (индекс «11» означает 1-я строчка, 1-й столбец; «12» - 1-я строчка, 2-й столбец и т.д.)
Таким образом, имеем систему 2-х уравнений с четырьмя неизвестными. Решить такую систему уравнений в общем виде невозможно. Для ее решения необходимы дополнительные условия. Так, например, чтобы определить из первого уравнения h11, нужно второе слагаемое этого уравнения занулить, т.е. считать, что U2=0. Тогда Аналогично определяем:
короткозамкнутом выходе;
Пример расчета h-параметров транзистора ОЭ Изобразим транзистор ОЭ с его входными и выходными токами и напряжениями:
а) Определим входное сопротивление транзистора. Для этого запишем формулу: индекс «э» означает, что транзистор собран по схеме ОЭ Входное сопротивление транзистора определяется по входным вольт-амперным характеристикам. Точка А – это рабочая точка, в которой определяются h-параметры.
 Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
- генератор тока (учитывает усилительные свойства транзистора). Вместо генератора тока можно использовать генератор напряжения 
, соединенный последовательно с 
:
- дифференциальное сопротивление прямо смещенного эмиттерного перехода (ЭП)
=доли Ома÷единицы Ома, т.е. мало
- ёмкость ЭП. Эта ёмкость диффузионная (т.к. ЭП смещен в прямом направлении). Она относительно большая ( 
десятки пФ), но её влиянием можно пренебречь, т.к. она шунтирована малым сопротивлением прямо смещенного эмиттерного перехода 
- может достигать сотен кОм÷десятки МОм, т.е. велико.
- ёмкость КП. Эта ёмкость барьерная (т.к. КП смещен в обратном направлении). Она мала ( 
единицы пФ), но пренебрегать ею нельзя. На ВЧ реактивное сопротивление этой емкости уменьшается ( 
), в результате чего часть выходного тока ответвляется через эту емкость и поступает на вход транзистора, не попадая в нагрузку, т.е. не участвуя в усилении. Другими словами: с помощью барьерной ёмкости на ВЧ в транзисторе осуществляется внутренняя обратная связь.
- сопротивление базы. Оно состоит из 2-х составляющих:
- омическое сопротивление слабо легированной области базы;
- небольшое сопротивление, обеспечивающее внутреннюю ОС в
Связь между зависимыми и независимыми переменными выражается с помощью системы уравнений:
при 
- входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе.
при 
- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе;
при 
при 
при 
,т.е. при 
Iб (mA)
0,75 Uкэ=5В
б 
=
бэ 0,55
, необходимо выполнить дополнительное построение: это построение обязательно должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие 
). Исходя из вышесказанного, строим небольшой прямоугольный треугольник таким образом, чтобы его гипотенуза прилегала к входной характеристике и делилась рабочей точкой А пополам. Тогда катеты этого треугольника и будут искомыми значениями 
и 
, зная которые, легко определить входное сопротивление транзистора: 