|
|
ВАХ полевого транзистора с p-n затворомВыходные (стоковые) характеристики – это зависимость тока стока от стокового напряжения при постоянном напряжении на затворе, т.е.
Стоко-затворные (передаточные) характеристики- это зависимость тока стока от напряжения затвора при постоянном стоковом напряжении, т.е.
UСИ =10В
UОТС МОП – транзисторы МОП-транзисторы были разработаны в 1962г. В отличие от полевого транзистора с p-n затвором, у МОП транзистора Затвор изолирован слоем диэлектрика, в результате чего входное сопротивление МОП-транзисторов очень велико (достигает величины 1014 Ом) – достоинство. МОП-транзистор с наведенным каналом
Исток и Сток выполнены в виде сильнолегированных При подаче на Затвор достаточно большого отрицательного напряжения Таким образом, под Затвором увеличивается концентрация дырок, т.е. изменяется тип электропроводности (с n на p) – происходит так называемая инверсия. Инверсия происходит при напряжении Возникший тонкий слой p-типа и образует канал, который изолируется от кристалла значительным по толщине обратно смещенным переходом. С ростом отрицательного напряжения Обозначение:
Стрелка – это Подложка. В данном случае Подложка и Исток соединены. ВАХ МОП-транзистора с наведенным p-каналом Стоковые (выходные) характеристики
UНАС При Стоко-затворные (передаточные) характеристики
IС,mA
UСИ=-5В
UПОРОГ а) При этом канал не образуется, и ток канала б) Возникает p-канал, и ток канала растет с ростом напряжения на Затворе. МОП- транзисторы со встроенным каналом
Канал создается в таких транзисторах технологически – отличие от МОП-транзисторов с наведенным каналом.
Обозначение:
ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом
IС,mA
UСИ=5В
обеднение обогащение
UОТС Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное. а) Пусть Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1). б) Пусть Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала в) Пусть Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения. Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения.   Что делать, если нет взаимности? А теперь спустимся с небес на землю. Приземлились? Продолжаем разговор...  Что будет с Землей, если ось ее сместится на 6666 км? Что будет с Землей? - задался я вопросом...  Что делает отдел по эксплуатации и сопровождению ИС? Отвечает за сохранность данных (расписания копирования, копирование и пр.)...  Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
при 
IС,mA отсечка, насыщение
В UЗИ=0
геометрическое место А
точек насыщения - насыщение UЗИ=-1В
парабола (у=х2)
насыщение UЗИ=-2В
0 UСИ, В
при 
IС,mA
IСmax
UЗИ,В 0
-областей в слаболегированной подложке 
-типа (
). Подложка соединена с Истоком. Затвор представляет собой тонкую пленку алюминия, напыленную на поверхность диэлектрика (двуокись кремния).
(“минус” на Затворе, “плюс” на Истоке и Подложке) в кристалле возникает сильное поперечное поле 
, которое “вытягивает” электроны из-под Затвора вглубь кристалла.
.
при 
IС,mA
UЗИ=-10В
UЗИ=-6В
0 UСИ, В
происходит перекрытие канала, транзистор входит в режим насыщения – рабочий режим. Чем больше отрицательное напряжение на Затворе 
(тем выше идет характеристика).
.
IС,mA обогащение
(поперечное поле отсутствует).
