|
|
Динамический режим работы транзистораДинамический режим работы транзистора – это режим, при котором во входной цепи имеется источник переменного сигнала, а в выходной цепи присутствует сопротивление нагрузки.
2-й закон Кирхгофа для выходной цепи:
Данное выражение является уравнением выходной динамической характеристики (уравнением нагрузочной прямой). Нагрузочная прямая строится на семействе выходных статических вольт-амперных характеристик по двум точкам (А и В): а) Пусть транзистор полностью закрыт (режим отсечки), т.е.
б) Пусть транзистор полностью открыт (режим насыщения), т.е.
характеристика) Выходная динамическая характеристика транзистора отличается от статических выходных ВАХ, т.к. наличие сопротивления нагрузки резко изменяет режим работы транзистора. В качестве входной динамической характеристики используют входную статическую характеристику транзистора при
входная динамическая характеристика
Первичные параметры транзистора
Анализировать схему, содержащую нелинейный элемент (например, транзистор), сложно. Но при определенных условиях транзистор можно заменить эквивалентной схемой, содержащей исключительно линейные элементы (сопротивления, емкости, индуктивности). Условием замены реального транзистора эквивалентной схемой является малый уровень входного сигнала, т.к. при малых амплитудах входного сигнала можно пренебречь нелинейностью ВАХ и считать малые участки ВАХ линейными. Эквивалентная схема составляется только для переменных составляющих токов и напряжений, поскольку полезную информацию несут только они. Элементы, образующие эквивалентную схему транзистора, и являются его первичными параметрами. Эквивалентных схем транзистора много, рассмотрим одну из них. Т-образная эквивалентная схема транзистора ОБ
·
·
· ·
· Обратная связь (ОС) – передача части мощности сигнала с выхода на вход схемы. Таким образом, ёмкость КП на ВЧ ухудшает усилительные свойства транзистора. ·
Транзисторе. H-параметры Недостаток первичных параметров – невозможность их измерения, т.к. общая точка, относительно которой определяются первичные параметры, находится внутри Базы транзистора. Поэтому переходят к вторичным параметрам транзистора, которые легко измерить. Самыми распространенными вторичными параметрами транзистора являются h-параметры. В системе h-параметров в качестве независимых переменных (аргументов) принимают входной ток (I1) и выходное напряжение (U2). Зависимыми переменными (функциями) являются входное напряжение (U1) и выходной ток (I2).
U1 = h11I1 + h12U2 I2 = h21I1 + h22U2
Здесь I1, I2, U1, U2 – амплитуды переменных токов и напряжений (индекс «1» относится к входному сигналу, а индекс «2» - к выходному), h11, h12, h21,h22 являются коэффициентами пропорциональности (индекс «11» означает 1-я строчка, 1-й столбец; «12» - 1-я строчка, 2-й столбец и т.д.)
Таким образом, имеем систему 2-х уравнений с четырьмя неизвестными. Решить такую систему уравнений в общем виде невозможно. Для ее решения необходимы дополнительные условия. Так, например, чтобы определить из первого уравнения h11, нужно второе слагаемое этого уравнения занулить, т.е. считать, что U2=0. Тогда Аналогично определяем:
короткозамкнутом выходе;
  ЧТО И КАК ПИСАЛИ О МОДЕ В ЖУРНАЛАХ НАЧАЛА XX ВЕКА Первый номер журнала «Аполлон» за 1909 г. начинался, по сути, с программного заявления редакции журнала...  Конфликты в семейной жизни. Как это изменить? Редкий брак и взаимоотношения существуют без конфликтов и напряженности. Через это проходят все...  Что способствует осуществлению желаний? Стопроцентная, непоколебимая уверенность в своем...  Что делает отдел по эксплуатации и сопровождению ИС? Отвечает за сохранность данных (расписания копирования, копирование и пр.)... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
. Тогда из уравнения (11) получим 
.
Таким образом, координаты точки А будут: 
. Тогда из уравнения (11) получим 
.
Таким образом, координаты точки В будут: 
IК, mA IБ4
ЕП/RК B IБ3
IБ2
нагрузочная IБ1
прямая (выходная A IБ=0
динамическая 0 ЕП UКЭ,В
, т.к. они мало чем отличаются вследствие того, что сопротивление нагрузки слабо влияет на входную цепь. IБ,mA
UКЭ=5В
0 1В UБЭ,В
- генератор тока (учитывает усилительные свойства транзистора). Вместо генератора тока можно использовать генератор напряжения 
, соединенный последовательно с 
:
- дифференциальное сопротивление прямо смещенного эмиттерного перехода (ЭП)
=доли Ома÷единицы Ома, т.е. мало
- ёмкость ЭП. Эта ёмкость диффузионная (т.к. ЭП смещен в прямом направлении). Она относительно большая (
десятки пФ), но её влиянием можно пренебречь, т.к. она шунтирована малым сопротивлением прямо смещенного эмиттерного перехода 
- может достигать сотен кОм÷десятки МОм, т.е. велико.
- ёмкость КП. Эта ёмкость барьерная (т.к. КП смещен в обратном направлении). Она мала (
единицы пФ), но пренебрегать ею нельзя. На ВЧ реактивное сопротивление этой емкости уменьшается (
), в результате чего часть выходного тока ответвляется через эту емкость и поступает на вход транзистора, не попадая в нагрузку, т.е. не участвуя в усилении. Другими словами: с помощью барьерной ёмкости на ВЧ в транзисторе осуществляется внутренняя обратная связь.
- сопротивление базы. Оно состоит из 2-х составляющих:
- омическое сопротивление слабо легированной области базы;
- небольшое сопротивление, обеспечивающее внутреннюю ОС в
Связь между зависимыми и независимыми переменными выражается с помощью системы уравнений:
при 
- входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе.
при 
- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе;
при 
при