Стоковые (выходные) характеристики

при

I_С,mA

U_ЗИ=-10В

U_ЗИ=-8В

U_ЗИ=-6В

0 U_СИ, В

U_НАС

При происходит перекрытие канала, транзистор входит в режим насыщения – рабочий режим. Чем больше отрицательное напряжение на Затворе , тем выше концентрация дырок в канале и его проводимость, т.е. тем больше ток канала (тем выше идет характеристика).

Стоко-затворные (передаточные) характеристики

при

I_С,mA

U_СИ=-5В

U_ЗИ, В 0

U_ПОРОГ

а)

При этом канал не образуется, и ток канала .

б)

Возникает p-канал, и ток канала растет с ростом напряжения на Затворе.

МОП- транзисторы со встроенным каналом

Канал создается в таких транзисторах технологически – отличие от МОП-транзисторов с наведенным каналом.

Обозначение:

ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом

I_С,mA обогащение

обеднение U_ЗИ=-1В

0 U_СИ, В

I_С,mA

U_СИ=5В

обеднение обогащение

-U_ЗИ, В 0 +U_ЗИ, В

U_ОТС

Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное.

а) Пусть (поперечное поле отсутствует).

Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1).

б) Пусть

Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.

Достоинства и недостатки полевых транзисторов

Достоинства:

· Высокое входное сопротивление ( достигает 10¹⁴ Ом).

· Бесконечно большое усиление по току

Малый уровень собственных шумов.

(Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака).

· Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима.

· Хорошая развязка между входом и выходом ().

· Малый разброс параметров.

Интегральные микросхемы (ИМС) логических элементов

В основе цифровых схем лежат простейшие транзисторные ключи, характеризующиеся двумя устойчивыми состояниями (для биполярного транзистора – это режим насыщения и режим отсечки).

Рассмотрим ВАХ транзистора ОЭ:

I_К нагрузочная прямая

I_Б4

Е_П/R_К А I_Б3

I_Б2

насыщение А` I_Б1

0 I_Б=0 U_КЭ

отсечка Е_П

U_{КЭ НАС}

U_{КЭ ОТС}

· Если транзистор находится в режиме насыщения (полностью открыт), то его выходное напряжение равно - мало.

Обычно принимают и считают это малое напряжение логическим нулем ().

· Если транзистор находится в режиме отсечки (полностью закрыт), то его выходное напряжение равно - велико, что соответствует логической единице ().

Таким образом, имеем двоичную систему исчисления.

ЧТО И КАК ПИСАЛИ О МОДЕ В ЖУРНАЛАХ НАЧАЛА XX ВЕКА Первый номер журнала «Аполлон» за 1909 г. начинался, по сути, с программного заявления редакции журнала...

Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам...

Конфликты в семейной жизни. Как это изменить? Редкий брак и взаимоотношения существуют без конфликтов и напряженности. Через это проходят все...

Живите по правилу: МАЛО ЛИ ЧТО НА СВЕТЕ СУЩЕСТВУЕТ? Я неслучайно подчеркиваю, что место в голове ограничено, а информации вокруг много, и что ваше право...

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте: