|
|
Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора· Статический коэффициент передачи тока эмиттера в коллектор: Отсюда вытекает: транзистор является управляемым прибором, т.к. его выходной ток ( Чем ближе · Статический коэффициент передачи тока базы в коллектор:
Транзистор, как усилительный элемент Т.к. выходное напряжение транзистора является обратным При этом входной ток
Определим входную и выходную мощности:
Прибор, усиливающий сигнал по мощности, называется усилителем. Схемы включения транзисторов В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзисторов: А) Общий эмиттер (n-p-n)
Изображена теоретическая схема усилителя. Практически используется один источник питания, а не два. Назначение элементов: VT – усилительный элемент; Еп – источник питания, подающий обратное напряжение на КП; Есм – источник питания, подающий прямое напряжение на ЭП; Uс – источник переменного сигнала; Rк – сопротивление коллекторной нагрузки (на нем выделяется усиленный сигнал). Как расставляются знаки у источников питания? n – p – n
ЭП (UПР)
КП (UОБР) ЭП должен находиться под прямым напряжением. При прямом напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны совпадать. Эмиттер – это n-область, поэтому на него должен быть подан «минус» источника питания Есм, а на базу, соответственно, - «плюс». КП должен находиться под обратным напряжением. При обратном напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны быть противоположны. Коллектор – это n-область, поэтому на него должен быть подан «плюс» источника питания Еп.
В) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
Для переменного тока источник постоянного напряжения (ЕП) имеет внутреннее сопротивление, стремящееся к нулю, поэтому можно считать, что плюсовая и минусовая клеммы этого источника для переменного тока закорочены, т.е. коллектор соединён с корпусом, что и требуется для схемы ОК. Статические характеристики биполярного транзистора
Статические ВАХ транзистора ОБ
Входные характеристики транзистора ОБ - это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е. IЭ, mA
UЭБ, В 0 1 Если использовать выходное напряжение
Выходные характеристики транзистора ОБ - это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е.
Статические ВАХ транзистора ОЭ
Входные характеристики транзистора ОЭ - это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е. IБ,mA UКЭ =0 UКЭ=5В
UБЭ, В
Если использовать выходное напряжение Выходные характеристики транзистора ОЭ - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е. IК, mA
  Что вызывает тренды на фондовых и товарных рынках Объяснение теории грузового поезда Первые 17 лет моих рыночных исследований сводились к попыткам вычислить, когда этот...  Конфликты в семейной жизни. Как это изменить? Редкий брак и взаимоотношения существуют без конфликтов и напряженности. Через это проходят все...  Живите по правилу: МАЛО ЛИ ЧТО НА СВЕТЕ СУЩЕСТВУЕТ? Я неслучайно подчеркиваю, что место в голове ограничено, а информации вокруг много, и что ваше право...  Что способствует осуществлению желаний? Стопроцентная, непоколебимая уверенность в своем... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
или 
) зависит от входного (
). 
приближается к 1, тем меньше отличаются между собой токи 
= десятки÷сотни
, а входное напряжение – прямым 
, то справедливо: 
.
выходному току 
:
или 
.
, т.е. транзистор является усилительным элементом.
Э Б К
б) Общая база (n-p-n)
RЭ- сопротивление эмиттерной нагрузки.
при 
, где f - этофункция.
UКБ=5В UКБ=0
>5В, то входные характеристики незначительно сместятся влево, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при 
и при 
. При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
при 
насыщение 
при 
0 1
при 
IБ3
насыщение IБ2
IБ1 IБ3 > IБ2 > IБ1
IКЭО IБ=0
отсечка UКЭ, В