|
Часть 2. Технические средства автоматикиГлава 7. Элементная база устройств автоматики Элементная база автоматики Рассмотренные выше регуляторы и другие элементы САР реализуются специальными устройствами на электронных, электромеханических и иных элементах. В данном разделе рассматривается электронная элементная база устройств автоматики. Современные электронные устройства выполняются в основном на базе полупроводниковых приборов: дискретных элементов - диодов, транзисторов-микросхем, стабилитронов, тиристоров и т.д. и в интегральном исполнении. Основой большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный р - n переход, возникающий на границе раздела двух полупроводников с разными типами электропроводности. Вольт - амперная характеристика р -n перехода представлена на рис.7.1. Рисунок 7.1 – Вольт - амперная характеристика р -n перехода.
P-n переходы изготавливаются из кремния, германия с добавками различных материалов (индий, галлий, селен и других), которые придают им необходимые свойства. Полупроводниковым диодом называется прибор с одним электронно-дырочным p-n переходом и двумя выводами. Один из них, соединенный с p- областью называется анодом, другой, соединенный с n- областью, – катодом. Диод проводит электрический ток только в одном направлении, поэтому он находит применение для выпрямления переменного тока в однополярный. Он представляет из себя нелинейный пассивный элемент, вольтамперная характеристика которого аналогична вольт-амперной характеристики p-n перехода (рис.7.1). Изображается диод на схемах в виде стрелы. Стабилитроном называется полупроводниковый диод, напряжение на котором при обратном смещении не зависит от его тока, предназначенный для стабилизации напряжения. Изготавливают диоды с заранее заданным уровнем стабилизации напряжения до 15 В. Биполярный транзистор. Он представляет из себя полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-n переходами и тремя выводами. Транзистор имеет три области: эмиттер, базу и коллектор. Переход, который образуется на границе областей эмиттер - база, называется эмиттерным, а на границе база - коллектор – коллекторным. Электропроводность базы может быть как электронной, так и дырочной; соответственно различают транзисторы со структурами p-n-р и n-p-n (рис.7.2.). Рисунок 7.2 – Схематическое и условное графическое изображение транзисторов типа n-p-n и р-n-р: э- эмиттер, б- база, к- коллектор.
Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, различие заключается в том, что в транзисторе со структурой p-n-p основной ток, текущий через базу, создается дырками, пришедшими из эмиттера, а в транзисторе n-р-n – электронами. В усилительном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Если изменять ток базы из внешней цепи, например, подачей на электрод базы напряжения, то в зависимости от последнего будет изменяться ток коллектора, причем это изменение будет больше, чем изменение тока базы. Таким образом, транзистор будет усиливать входной сигнал, подаваемый на базу. В зависимости от того, какой электрод является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзистора (рис.7.3): с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Транзистор характеризуют коэффициентом усиления по току – отношением приращения выходного тока к вызывающему его приращению входного тока. К другим характеристикам транзистора относятся его частотные свойства – зависимость коэффициента усиления от частоты сигнала и температуры. Биполярный транзистор имеет малое входное сопротивление, а выходное – в зависти от схемы включения. Транзисторы служат для усиления тока базы и в качестве переключающего элемента. На них выполняют усилители электрических сигналов, генераторы электрических сигналов разной формы, цифровые логические элементы и многие другие электронные схемы. Они лежат в основе построения интегральных аналоговых и цифровых микросхем. Рисунок 7.3 – Схемы включения транзисторов: а) с общей базой, б) с общим эмиттером, в) с общим коллектором; T-транзистор; Еп- напряжение питания транзистора; Uвх- входной сигнал; Uвых – выходной сигнал (усиленный); Rн- сопротивление нагрузки. Полевой транзистор. Это прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал и управляемых электрическим полем. Полевой транзистор имеет три вывода – исток, сток и затвор. Электрическое поле создается входным управляющим током, подаваемым на затвор. Это поле управляет проводимостью между стоком и истоком транзистора. Входное сопротивление полевого транзистора велико, поэтому управление осуществляется малыми токами на частотах до 1 ГГц. Тиристор. Тиристор – это четырехслойный кремниевый прибор. Он имеет три электрода: анод А, катод К и управляющий электрод У. Его можно представить двумя транзисторами с тремя p-n переходами (рис.7.4).. Тиристоры служат для прерывания токов и напряжений, регулирования мощности постоянного и переменного тока. Запуск тиристора осуществляется путем подачи с блока управления БУ тока на управляющий электрод У. После того как тиристор открывается, управляющий электрод перестает оказывать воздействие на протекание тока I. Поэтому включение тиристора может осуществляться короткими импульсами, подаваемыми с блока БУ. Чтобы перевести тиристор в выключенное состояние, ток через него необходимо уменьшить до нуля путем прерывания цепи нагрузки или снижения входного Uвх напряжения между анодом и катодом.
Рисунок 7.4 – Тиристор- структура (а) и схема включения (б): А- анод, К- катод, У- управляющий электрод, БУ- блок управления, Uвх- входное напряжение, I- ток тиристора, Rн- сопротивление нагрузки.
Операционный усилитель (ОУ) - многокаскадный усилитель с дифференциальным входом и коэффициентом усиления, стремящимся к бесконечности, с высоким входным сопротивлением и электрическим потенциалом смещением входа, близким нулю. Операционный усилитель имеет два входа- прямой и инверсный, которые позволяют на выходе усилителя иметь сигнал, пропорциональный разности двух входных сигналов. Операционный усилитель – интегральная микросхема, выполненная из множества транзисторов, диодов, резисторов. К основным параметрам ОУ, которые характеризуют его качество, относят: - коэффициент усиления К – отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению дифференциального входного напряжения. Интегральные ОУ имеют коэффициент усиления до сотен тысяч единиц; - входное сопротивление - сопротивление со стороны одного из входов ОУ, в то время как другой заземлен. Входное сопротивление ОУ может составлять 107 Ом и более; - выходное сопротивление ОУ - внутреннее сопротивление усилителя со стороны выхода. Составляет обычно величину от десятков до нескольких сотен Ом. Живите по правилу: МАЛО ЛИ ЧТО НА СВЕТЕ СУЩЕСТВУЕТ? Я неслучайно подчеркиваю, что место в голове ограничено, а информации вокруг много, и что ваше право... Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам... ЧТО ТАКОЕ УВЕРЕННОЕ ПОВЕДЕНИЕ В МЕЖЛИЧНОСТНЫХ ОТНОШЕНИЯХ? Исторически существует три основных модели различий, существующих между... Что делать, если нет взаимности? А теперь спустимся с небес на землю. Приземлились? Продолжаем разговор... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|