Сдам Сам

ПОЛЕЗНОЕ


КАТЕГОРИИ







Электрические параметры тонкопленочных конденсаторов





 

Диэлектрические материалы Материал обкладок Удельная емкость С0 пФ/см2 Рабочее напряжение U, В
Мноокись кремния Алюминий А99   5000 10000
Моноокись германия     5000 10000 15000 10 7
Боросиликатное стекло     2500 5000 10000 15000 24 15 10 8
Стекло электронно-вакуумное С41-1 Алюминий А99   20000 30000 40000 12,6 10-12,6 6,3-10 6,3
Пятиокись тантала (электрохимическое анодирование) Тантал ТВЧ, лента толщиной 0,3- З мм (нижняя обкладка) 60000 100000 15 10
    Алюминий А99 (верхняя обкладка) с подслоем ванадия.

 

На рис.5 приняты следующие обозначения:

в - ширина тонкопленочной индуктивности

D - внешний диаметр тонкопленочной индуктивности

d - внутренний диаметр тонкопленочной индуктивности

S - зазор между витками

N- количество витков

 

Индуктивные катушки вида:

Квадратной спирали: L = 6(D + d)2N2

D-7d

Внешний диаметр спирали:

D = d + (2N-l)S+2b

Число витков спирали:

N = (D - S) - (d + 2b)

2S

Площадь, занимаемая квадратной спиралью:

Sпл = D*d*N

 

2. Варианты задания

Варианты задания даны в приложение 1 и 2.

3. Особенности конструирования.

2.1 Пленочной ИМС называется ИМС, в которой все элементы выполнены по пленочной технологии на общем твердом основание, путем последовательного нанесения стенок.

2.2 Чертежи пленочных ИМС выполняются в масштабе 10:1; 20:1; 100:1. Размеры пленочных элементов задаются коэффиционной сеткой, которая имеет шаг 0,1 и 0,2 мм.

2.3 Основным элементом конструкции является подложка, которую изготавливают из материала марки СТ 50-2, можно использовать алюмокерамику, ее толщина может быть: 0,6; 1,0; 1,6 мм; подложки выполняются в виде четырехугольной пластины.

 

4. Литература.



Г.Д. Фрумкин. «Расчет и конструирования радиоэлектронной аппаратуры».Москва. "Высшая школа ". 1985г.

 

 

Приложение 1

Таблица З

ВАРИАНТ№ СХЕМА МОЩНОСТЬ РАССЕЕВАНИЯ точность, ∆ρ/ρ Материал
0,125 ±2 РС3710
0,25 ±5 РС3710
0,062 ±1,0 МЛТ3М
0,125 ±2 К50-С
0,25 ±5 Х20Н80
0,062 ±1,0 РС3710
0,125 ±2 РС3710
0,25 ±5 МЛТ3М
0,062 ±1,0 К50-С
0,125 ±2 Х20Н80
0,25 ±5 РС3710
0,062 ±1,0 РС3710
0,125 ±2 МЛТ3М
0,25 ±5 К50-С
0,062 ±1,0 Х20Н80
0,125 ±2 РС3710
0,25 ±5 РС3710
0,062 ±1,0 МЛТ3М
0,125 ±2 К50-С
0,25 ±5 Х20Н80
0,062 ±1,0 РС3710
0,125 ±2 РС3710
0,25 ±5 МЛТ3М
0,062 ±1,0 К50-С
0,125 ±2 Х20Н80
0,25 ±5 РС3710
0,062 ±1,0 РС3710
0,125 МЛТ3М
0,25 ±5 К50-С
0,062 ±1,0 Х20Н80

 

Таблица 4

 

 

 

ВАРИАНТЫ № ТОЧНОСТЬ ∆R/R РАЗБРОС ПАРАМЕТНОВ В min, мм
∆b, мм ∆l, мм
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3
±20 0,01 0,015 0,1
±50 0,02 0,03 0,2
±10 0,2 0,3 0,3

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

 

 

 

Поз. Обозначений Наименование Кол. Примечание
C1 Конденсатор 910пФ ±10% Uраб = 6,3 В
  Резисторы    
R1 100 кОм±10% Ррас = 0,125Вт
R2 10 кОм±10% Ррас = 0,125Вт
R3 3О кОм±10% Ррас = 0,125Вт
R4 10 кОм±10% Ррас = 0,125Вт
       
VT1 Транзистор КТ380А  
       
       

 

 

 

 

Поз. обозначений Наименование Кол. Примечание
C1 Конденсатор 680пФ ±10% Uраб = 10 В
  Резисторы    
R1 56кОм±10% . Ррас = 0,25 Вт
R2 10кОм±10% Ррас = 0,25 Вт
R3 12кОм±10% Ррас = 0,25 Вт
R4 11кОм±10% Ррас = 0,25 Вт
       
VT1 Транзистор КТ380А  
       

 

 

 

Поз. обозначений Наименование Кол. Примечание
С1 Конденсатор 820пФ ±10% Uраб = 6,3 В
  Резисторы    
R1 10кОм±10% Ррас = 0,125 Вт
R2 100кОм+10% Ррас = 0,125 Вт
R3 10кОм±10% Ррас = 0,125 Вт
R4 3ОкОм±10% Ррас = 0,125 Вт
       
VT1 Транзистор 2Т331А-1  
       

 

 

 

Поз. Обозначений Наименование Кол. Примечание
C1 Конденсатор 100пФ ±10% Uраб = 10 В
  Резисторы    
R1 51кОм±10% Ррас = 0,125 Вт
R2 100кОм±10% Ррас = 0,125 Вт
R3 47кОм±10% Ррас = 0,125 Вт
R4.R5 10кОм±10% Ррас = 0,125 Вт
       
VT1 Транзистор 2Т331А-1  
       

 

 

 

Поз. Обозначений Наименование Кол, Примечание
C1 Конденсатор 510пФ ± 10% Uраб = 6?3 В
  Резисторы    
R1,R2 3,3кОм±10% Ррас = 0,25 Вт
R3 6,8кОм±10% Ррас = 0,25 Вт
R4 1кОм±10% Ррас = 0,25 Вт
R5 300 Ом±10с Ррас = 0,25 Вт
       
VT1 Транзистор 2ТЗЗ1А-1  
       

 

 

ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ ПРАКТИЧЕСКОЙ РАБОТЫ

 

КОНСТРУИРОВАНИЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ

СРЕДСТВ

 

Специальность 210310

 

 

КОНСТРУКТИВНЫЙ РАСЧЁТ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ

В ТОНКОПЛЁНОЧНОМ ИСПОЛНЕНИИ

Практическая работа №7

КККМ.210310.060ПЗ

Разработал: Воскобойник А. М.

Учащийся гр.30р

Проверил: Лубенко А.Д.

Преподаватель

 

-2008-

Содержание

 

 

Цель работы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Исходные данные к расчёту . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3

Расчёт. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

4. Эскиз тонкоплёночной микросхемы . . . . . . . . . …. . . .приложение 1

 

          КККМ.210310.060ПЗ  
           
Изм. Лист № докум. Подп. Дата  
Разраб. Воскобойник     КОНСТРУКТИВНЫЙ РАСЧЁТ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ В ТОНКОПЛЁНОЧНОМ ИСПОЛНЕНИИ Пояснительная записка Лит. Лист Листов  
у  
Провер. Лубенко А.Д.      
Гр.30р  
Т. контр.        
Н. контр.        
         
                         

Цель работы

1.1. Приобрести практические навыки по выполнению конструктивного расчёта элементов схемы в тонкоплёночном исполнении.

 

Исходные данные

2.1 Условия эксплуатации. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .нормальные;

2.2. Технология получения плёнок. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . фотолитография;

2.3. Материал подложки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ . . . МЛТ-3М









Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:


©2015- 2018 zdamsam.ru Размещенные материалы защищены законодательством РФ.