|
|
Интегральный аналог дискретного MBВ интегральной схемотехнике применяются специализированные интегральные микросхемы генераторов импульсов прямоугольной формы со стабильной частотой повторения сигналов, использующих лучшие технические решения дискретных МВ. Примером такой практической реализации являются выпускаемые интегральные МВ на микросхемах 119ГГ1,2 серий 119 (1ГФ192А - 1ГФ192В, К1ГФ192) и 218 (2ГФ181, К2ГФ181). На рис. 4.7 приведены принципиальные схемы плеча мультивибратора КР119ГГ1 (а) и схема генератора с самовозбужением КР119ГГ2 (б) (на схемах указана нумерация выводов ИС).
На рис. 4.8 изображена схема включения и временные диаграммы мультивибратора в интегральном исполнении. Улучшение формы выходных импульсов интегрального МВ обеспечивается включением отсекающих (отключающих) коллекторных диодов VD1 и VD3 (рис. 4.7б).
Так как повышение частоты работы МВ и его стабильности связано с использованием режима ненасыщенных состояний транзисторов VT1 и VT2, то с учётом условия их работы на границе насыщения, когда величина
Задержка, обусловленная временем рассасывания накопленного заряда неосновных носителей в базе насыщенного транзистора, приводит к тому, что МВ с насыщающимися транзисторами не используются для генерирования импульсов высокой частоты (порядка 20 МГц). Поэтому для устранения насыщения транзисторов часто используют отрицательную нелинейную обратную связь через диоды VD2, VD4 (рис. 4.7б)) по аналогии с ключом на биполярном транзисторе. Рассмотренные решения по улучшению работы МВ применяются в интегральных мультивибраторах 119 серии. В схемах мультивибраторов 218 серии (К2ГФ181) применены дополнительные диоды, шунтирующие переходы база-эмиттер транзисторов и предотвращающие их пробой. Другим методом устранения насыщения транзисторов в схе-ме МВ является использование переключателя тока (ПТ), в котором транзисторы работают без насыщения. А так как для переключения транзисторов в схеме ПТ (базовый элемент ЭСЛ-логики, например 137 серия) требуются малые изменения значений переключающего (напряжения) тока, то это является дополнительным резервом повышения частоты работы схемы МВ. Большая номенклатура выпускаемых интегральных логических элементов (ИЛЭ), их высокая надёжность и простые схемные реализации на их основе МВ - всё это способствует широкому практическому применению указанных элементов. Мультивибраторы на ИЛЭ В практической схемотехнике применяют две разновидности автоколебательных МВ с использованием переключающих свойств ИЛЭ типа И-НЕ или ИЛИ-НЕ: симметричного и несимметричного вида. В этих схемах два инвертора на ИЛЭ соединены между собой широкополосной положительной обратной связью (ПОС) через укорачивающие времязадающие (RС) цепи.   Что делает отдел по эксплуатации и сопровождению ИС? Отвечает за сохранность данных (расписания копирования, копирование и пр.)...  Что вызывает тренды на фондовых и товарных рынках Объяснение теории грузового поезда Первые 17 лет моих рыночных исследований сводились к попыткам вычислить, когда этот...  Система охраняемых территорий в США Изучение особо охраняемых природных территорий(ООПТ) США представляет особый интерес по многим причинам...  ЧТО ПРОИСХОДИТ, КОГДА МЫ ССОРИМСЯ Не понимая различий, существующих между мужчинами и женщинами, очень легко довести дело до ссоры... Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:
|
Интегральный аналог МВ не имеет дополнительного источника смещения, времязадающие конденсаторы С1 и С2 дискретные (навесные) подключаются к выводам 1-8 и 5-10 корпуса микросхемы КР119ГГ2, источник питания ЕП к выводам 4-2, а выводы 3-7 являются общими.
Зарядка каждого из конденсаторов С1, С2 осуществляется не через коллекторные резисторы 
, 
транзисторов, а через дополнительные резисторы 
или 
. Так, например, во время зарядки конденсатора С1 диод VD3 будет закрыт, и ток зарядки от источника питания ЕП будет протекать через резистор 
, так как сопротивлением открытого диода VD3 можно пренебречь по отношению к 
, получим выражение для максимальной величины скважности:
.